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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411883794.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体结构及其制作方法是由谭键文;马万里设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧表面上；第一注入区和第二注入区，沿远离衬底的方向叠置在外延层中；第三注入区和第四注入区，第三注入区位于第一注入区中，第四注入区位于第一注入区中且位于第三注入区的外周；第一介质层，位于外延层远离衬底的一侧；第一接触孔和两个第一沟槽，均贯穿第一介质层和第二注入区，且与第三注入区和第四注入区分别接触，两个第一沟槽至少位于第一接触孔的两侧；第二介质层，位于两个第一沟槽的底面上；金属层，位于第一介质层远离外延层的表面上以及第一沟槽两侧的第二注入区远离衬底的部分表面上，金属层还填充在两个第一沟槽和第一接触孔中。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的一侧表面上； 第一注入区和第二注入区，沿远离所述衬底的方向叠置在所述外延层中，所述第二注入区远离所述衬底的表面为所述外延层的部分表面； 第三注入区和第四注入区，所述第三注入区位于所述第一注入区中，所述第四注入区位于所述第一注入区中且位于所述第三注入区的外周，所述第四注入区的离子浓度大于所述第一注入区的离子浓度且小于所述第三注入区的离子浓度，所述第一注入区、所述第三注入区和所述第四注入区具有第一掺杂类型，所述外延层和所述第二注入区具有第二掺杂类型； 第一介质层，位于所述外延层远离衬底的一侧； 第一接触孔和两个第一沟槽，均贯穿所述第一介质层和所述第二注入区，所述第一接触孔与所述第三注入区接触，两个所述第一沟槽均分别与所述第三注入区和所述第四注入区接触，两个所述第一沟槽位于所述第一接触孔的两侧，两个所述第一沟槽远离所述第一接触孔的侧壁使得所述第二注入区远离所述衬底的部分表面裸露； 第二介质层，位于两个所述第一沟槽的底面上； 金属层，位于所述第一介质层远离所述外延层的表面上以及所述第一沟槽两侧的所述第二注入区远离衬底的部分表面上，所述金属层还填充在两个所述第一沟槽和所述第一接触孔中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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