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龙图腾网获悉长春长光正圆微电子技术有限公司申请的专利能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119846904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510062083.5，技术领域涉及：G03F7/11；该发明授权能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺是由李鹏;张海宇;张竞文设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺在说明书摘要公布了：能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺属于半导体器件制造技术领域。现有技术在显影时易发生光刻胶脱落。本发明包括以下步骤：在晶圆基底上沉积铝膜层；在铝膜层表面涂覆第一层光刻胶，洗边宽度为j，曝光显影出电极图形；在第一层光刻胶掩蔽下，将铝膜层腐蚀出所述电极图形，铝膜层的边缘同步被腐蚀，之后去除第一层光刻胶；在铝膜层上沉积金属间粘合层，再沉积银膜层，其与晶圆基底边界的距离kj；在银膜层表面继续沉积钛膜层；在钛膜层表面涂覆第二层光刻胶，曝光显影出电极图形；在第二层光刻胶掩蔽下，依次将钛膜层、银膜层、金属间粘合层腐蚀出所述电极图形；去除第二层光刻胶，腐蚀掉钛膜层。本发明用于TMBS半导体器件的电极制作。

本发明授权能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺在权利要求书中公布了：1.能够防止银膜层表面光刻胶显影时脱落的TMBS光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1：在晶圆基底1上沉积铝膜层2，铝膜层2的厚度为3μm～5μm，铝膜层2在晶圆基底1边缘处距晶圆基底1边界的距离为i＝1.2mm～1.4mm； S2：在铝膜层2表面涂覆第一层光刻胶3，所述第一层光刻胶3的洗边宽度j＝2.5mm～3mm，且所述洗边宽度j的误差在±0.1mm范围内，将第一层光刻胶3曝光显影出电极图形； S3：在第一层光刻胶3掩蔽下，将铝膜层2腐蚀出所述电极图形，铝膜层2的边缘同步被腐蚀，所述距离i等于所述距离j，之后去除第一层光刻胶3； S4：在铝膜层2上依次沉积厚的钛层、厚的镍层，由所述钛层、镍层构成金属间粘合层4，再沉积银膜层5，银膜层5覆盖金属间粘合层4表面及金属间粘合层4和铝膜层2的侧圆周面，银膜层5厚度为银膜层5覆盖所述侧圆周面的部分与晶圆基底1边界的距离kj，且k＝0mm～2mm； S5：在银膜层5表面继续沉积厚度的钛膜层6； S6：在钛膜层6表面涂覆第二层光刻胶7，第二层光刻胶7洗边宽度等于所述距离k，曝光显影出电极图形； S7：在第二层光刻胶7的掩蔽下，依次将钛膜层6、银膜层5、金属间粘合层4腐蚀出所述电极图形； S8：去除第二层光刻胶7，之后腐蚀掉钛膜层6。

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