核工业西南物理研究院刘亮获国家专利权
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龙图腾网获悉核工业西南物理研究院申请的专利一种可见光轫致辐射诊断装置及聚变等离子体电子密度剖面测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510034287.8，技术领域涉及：H05H1/00；该发明授权一种可见光轫致辐射诊断装置及聚变等离子体电子密度剖面测量方法是由刘亮;陈文锦;余德良;石中兵设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可见光轫致辐射诊断装置及聚变等离子体电子密度剖面测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可见光轫致辐射诊断装置及聚变等离子体电子密度剖面测量方法，所述可见光轫致辐射诊断装置包括真空室、物镜、光纤、光谱仪和光谱探测器；真空室用于产生等离子体，且真空室具有观察窗；物镜、光纤、光谱仪和光谱探测器依次相连并组成用于观测的光学诊断系统，相应地，物镜的前端朝向观察窗并通过观察窗观测等离子体的可见光轫致辐射。所述聚变等离子体电子密度剖面测量方法包括以下步骤：S100测量：通过所述可见光轫致辐射诊断装置测量等离子体的辐射；S200计算：通过公式计算等离子体电子密度剖面。相比较于现有的接触式测量方法，所述可见光轫致辐射诊断装置及聚变等离子体电子密度剖面测量方法提供了一种非接触、无干扰的测量方法。
本发明授权一种可见光轫致辐射诊断装置及聚变等离子体电子密度剖面测量方法在权利要求书中公布了：1.一种聚变等离子体电子密度剖面测量方法，其特征在于，包括以下步骤： S100测量：通过可见光轫致辐射诊断装置测量等离子体的辐射； S200计算：通过下式计算等离子体电子密度： 其中，是等离子体芯部的弦积分电子密度，是中心道弦积分轫致辐射亮度，Teo是芯部电子温度，C是常系数，η是形状因子且沿不同视线记为常数，为中心道弦平均有效电荷数，a是等离子体小半径，ne是局部电子密度，r为视线弦高，‘-’代表中平面下方，εff是局部轫致辐射率； 用于所述聚变等离子体电子密度剖面测量方法的可见光轫致辐射诊断装置，包括真空室1、物镜2、光纤3、光谱仪4和光谱探测器5； 真空室1用于产生等离子体，且真空室1具有观察窗6； 物镜2、光纤3、光谱仪4和光谱探测器5依次相连并组成用于观测的光学诊断系统，相应地，物镜2的前端朝向观察窗6并通过观察窗6观测等离子体。
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