南京工业大学王亚雯获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种在基底上合成铂纳米线阵列的无配体电沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119859827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510108388.5，技术领域涉及：C25D3/50；该发明授权一种在基底上合成铂纳米线阵列的无配体电沉积方法是由王亚雯;罗佳昕;陈虹宇设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种在基底上合成铂纳米线阵列的无配体电沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在基底上生长铂纳米线阵列的无配体电沉积方法，其长度最长可达10μm左右。该方法具有宽泛的沉积电位区间‑0.5V至‑7V，通过调整沉积时间，可以在没有模板和小分子配体的条件下，在基底上实现铂纳米线的长度调控；同时，通过改变硅烷偶联剂的浓度，可以控制铂纳米线的疏密度。此外，该合成还可以拓展到导电基底上，使得铂纳米线阵列后续直接作为工作电极使用，为电催化等领域提供了具大的应用潜力。本发明工艺简单，反应条件温和，成本低廉，以及电沉积法合成纳米材料具有精确可控性，操作简便和环保的优点。
本发明授权一种在基底上合成铂纳米线阵列的无配体电沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种基底上合成铂纳米线阵列的无配体的电沉积方法，其特征在于:包括以下步骤： 1首先通过等离子体清洗机对基底进行的亲水性处理，然后在酸性条件下使用三氨基丙基三乙氧基硅烷溶液APTES对基底进行氨基化处理； 2将步骤1中基底取出冲洗掉多余的APTES溶液，并浸泡在3~5nm的铂颗粒溶液中； 3将步骤2中基底取出冲洗掉多余的铂颗粒溶液，然后配制电解液； 4电沉积采用三电极体系，其中饱和AgAgCl作为参比电极，碳棒作为对电极，基底作为工作电极；电解液由水、乙醇，氯铂酸和盐酸组成，其中氯铂酸作为金属前驱体，电解液pH值为1.25~2.79； 5电沉积合成方法使用的是恒电位安培法，将电位设置在-0.5V至-7V，沉积时间控制在5min-180min，电沉积反应结束后，将硅片取出，用水和乙醇冲洗，并在表征前干燥。
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