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龙图腾网获悉河北新华北集成电路有限公司申请的专利一种芯片结构及芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411970151.X，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权一种芯片结构及芯片封装方法是由杜鹏搏;曲韩宾;崔朝探;张长城;芦雪;焦雪龙;崔宝峰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片结构及芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片结构及芯片封装方法。该芯片结构包括：芯片基板；芯片基板的正面设有正面金属化层，正面金属化层包括正面压点和正面接地金属化区域；芯片基板的背面设有背面金属化层，背面金属化层包括背面压点和背面接地金属化区域，正面压点与背面压点对应设置，背面接地金属化区域与正面接地金属化区域对应设置；芯片基板内设有若干Via通孔互连结构，正面压点与相对应的背面压点通过Via通孔互连结构连接，正面接地金属化区域与背面接地金属化区域通过Via通孔互连结构连接，背面压点作为与外部电路进行信号传输的接触端子。本发明能够在芯片制作阶段，将芯片正面的压点引出至背面，避免后期与外界电路封装连接时的电磁耦合产生。

本发明授权一种芯片结构及芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，包括： 芯片基板； 所述芯片基板的正面设有正面金属化层，所述正面金属化层包括正面压点和正面接地金属化区域； 所述芯片基板的背面设有背面金属化层，所述背面金属化层包括背面压点和背面接地金属化区域，所述正面压点与所述背面压点一一对应设置，所述背面接地金属化区域与所述正面接地金属化区域对应设置； 所述芯片基板内设有若干Via通孔互连结构，所述正面压点包括射频输入压点、射频输出压点、栅极电极压点和漏极电极压点；所述正面压点与相对应的所述背面压点通过所述Via通孔互连结构连接，通过背面压点形成新的射频输入、射频输出、栅极电极和漏极电极压点，所述正面接地金属化区域与所述背面接地金属化区域通过所述Via通孔互连结构连接，所述背面压点作为与外部电路进行信号传输的接触端子； 所述背面压点对应设于相对应的所述正面压点的正下方；将芯片正面压点的电路传导至芯片的背面压点。

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