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龙图腾网获悉广州金升阳科技有限公司申请的专利一种驱动电路及开关电源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119995324B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510367368.X，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种驱动电路及开关电源是由尹增鹤;肖浩;袁源;何垒设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动电路及开关电源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种驱动电路及开关电源，驱动电路包括：第一次级绕组及与之连接的第一输出电路；第二次级绕组及与之连接的第二输出电路；第一次级绕组一端与第二次级绕组一端互为异名端；第一与第二输出电路均包括：第一电荷存储单元、第一二极管、第一MOS管、限压电路和负压模块，负压模块一端和第一MOS管漏极同时连接对应次级绕组一端，负压模块另一端连接被驱动开关管栅极，限压电路第一端和第一二极管阴极同时连接对应次级绕组另一端，限压电路第二端同时连接第一电荷存储单元一端和第一MOS管栅极，第一二极管阳极、第一电荷存储单元另一端和第一MOS管源极连接在一起用于连接被驱动开关管源极。本发明提供一种低成本、稳定的SiC驱动电路方案。

本发明授权一种驱动电路及开关电源在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路，其特征在于，包括：变压器初级绕组，用于输入驱动信号源；第一次级绕组及与之连接的第一输出电路；第二次级绕组及与之连接的第二输出电路；所述第一次级绕组一端与所述第二次级绕组一端互为异名端； 所述第一输出电路与所述第二输出电路结构相同，均包括： 第一电荷存储单元、第一二极管、第一MOS管、限压电路和负压模块，所述负压模块一端和所述第一MOS管的漏极同时连接对应次级绕组一端，所述负压模块另一端用于连接被驱动的开关管的栅极，所述限压电路第一端和所述第一二极管的阴极同时连接对应次级绕组另一端，所述限压电路第二端同时连接所述第一电荷存储单元一端和所述第一MOS管的栅极，所述第一二极管的阳极、所述第一电荷存储单元另一端和所述第一MOS管的源极连接在一起用于连接被驱动的开关管的源极； 各输出电路通过对应的第一MOS管的导通对对应的被驱动的开关管的栅极电容形成放电回路，并在对应的被驱动的开关管非导通时间内对其形成负压驱动信号； 各输出电路的负压模块，以及对应的次级绕组、限压电路、第一电荷存储单元在驱动信号源关断时刻对对应的被驱动的开关管的栅极电容形成第一放电回路的同时，限压电路稳定对应的第一MOS管的驱动电压，并对对应的第一电荷存储单元进行快速充电，由对应的第一电荷存储单元存储的电荷维持对应的第一MOS管在驱动死区时间内导通所需电荷。

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