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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510049472.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法是由耿延泉;朱文涵;王继强;闫永达设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法在说明书摘要公布了：一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法，属于忆阻器制备技术领域。所述方法为：上层微通道采用紫外光刻技术制备；下层微通道为通过紫外光刻在硅片表面制备柔性掩膜版，非曝光区域的光刻胶溶解脱落，暴露出硅基底，在硅基底加工得到微通道结构，将光刻胶全部去除后，得带有微通道的硅基底；纳米铣削加工由原子力显微镜系统及二维压电陶瓷促动器实现；将带有凸微通道的硅片作为模板进行转印后，得带有微通道的PDMS片；将带有纳通道阵列的硅片作为模板进行二次转印得带有纳米通道和微米通道的PDMS片；将两个PDMS片通过氧等离子体处理的方式进行键合。本发明方法流程简单、快速高效、结构稳定、一致性好且可大量复制、生物兼容性好。

本发明授权一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法，其特征在于：所述方法为： 步骤一：微通道结构加工：上层微通道的制备采用紫外光刻技术实现，经过曝光和显影后，得到凸微通道结构；下层微通道的制备为通过紫外光刻在硅片表面制备柔性掩膜版，非曝光区域的光刻胶溶解脱落，暴露出硅基底，使用SF6和O2的混合气体进行反应离子刻蚀，在硅基底上加工得到微通道结构，使用RemoverPG去胶液将光刻胶全部去除后，获得带有微通道的硅基底； 步骤二：纳通道结构加工：纳米铣削加工由商业原子力显微镜系统及二维压电陶瓷促动器组合实现；纳米铣削过程中样品旋转，通过相对运动实现加工；样品的旋转运动由二维压电陶瓷促动器在相位差为90°的正弦信号驱动下完成，样品在水平面内的运动由X和Y方向的合成运动实现；通过AFM纳米铣削，在步骤一的带有微通道的硅基底上加工得到纳通道阵列； 步骤三：结构转印：将带有凸微通道的硅片作为模板进行转印后，能够得到带有微通道的PDMS片；将带有纳通道阵列的硅片作为模板进行一次转印后，将一次转印得到的PDMS作为模板，倒入PDMS后放在120℃的热板上加热30分钟，将固化后的PDMS从模具上剥离得到带有纳米通道和微米通道的PDMS片； 步骤四：键合：将步骤三中带有微通道的PDMS片和带有纳米通道和微米通道的PDMS片通过氧等离子体处理的方式进行键合。

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