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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法、半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510194904.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法、半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆是由唐宇坤;罗成志设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制备方法、半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制备方法、半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆，包括：提供第一半导体本体，第一半导体本体的第一表面设置有第一源极子沟槽；在所述第一源极子沟槽内形成垫层；在第一半导体本体的一侧形成第二半导体本体，第二半导体本体，第二半导体本体还包括阱区和第一区域，第一区域设置于第二半导体本体的第四表面，阱区设置于第一区域远离第四表面的一侧；第四表面还设置有第二源极子沟槽和栅极沟槽；第二源极子沟槽靠近衬底一侧，至少露出部分垫层；去除垫层，以使第二源极子沟槽和第一源极子沟槽贯通构成源极沟槽，本发明提供的半导体器件的制备方法，避免栅极沟槽设计深度对源极沟槽深度的限制，降低了刻蚀设备及刻蚀工艺的要求。

本发明授权半导体器件的制备方法、半导体器件、功率模块、功率转换电路及车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一半导体本体，设置为第一导电类型，所述第一半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有第一源极子沟槽，所述第一源极子沟槽从所述第一表面延伸至所述第一半导体本体中； 在所述第一源极子沟槽内形成垫层； 在所述第一半导体本体的一侧形成第二半导体本体，所述第二半导体本体，包括相对设置的第三表面和第四表面，所述第三表面与所述第一表面接触连接；所述第二半导体本体还包括阱区和第一区域，所述第一区域设置为第一导电类型，且设置于所述第四表面，所述阱区设置为第二导电类型，且设置于所述第一区域远离所述第四表面的一侧，所述第一导电类型与所述第二导电类型不同；所述第四表面还设置有第二源极子沟槽和栅极沟槽，所述第二源极子沟槽和所述栅极沟槽均从所述第四表面延伸至所述第二半导体本体中；所述第二源极子沟槽靠近所述第一表面一侧，至少露出部分所述垫层； 去除所述垫层，以使所述第二源极子沟槽和所述第一源极子沟槽贯通构成源极沟槽；所述源极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度。

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