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龙图腾网获悉昆明七零五所科技发展有限责任公司;浙江大学申请的专利一种基于拟合迭代的半导体非线性输出结电容测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120064915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510164794.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于拟合迭代的半导体非线性输出结电容测量方法是由岳建刚;李皓;胡斯登;陈瑞文;胡晨昊设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于拟合迭代的半导体非线性输出结电容测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件测量技术领域，提出了一种基于拟合迭代的半导体非线性输出结电容测量方法，该方法首先搭建结电容提取电路，并通过测试平台采集待测器件的关断瞬态波形，利用快速傅里叶变换提取振荡频率fexp，并基于振荡频率与结电容及寄生参数的关系，反推出初始结电容Coss。随后，采用双曲正切函数进行拟合，并通过最小二乘法优化拟合参数，得到不同电压等级下初步的结电容Coss‑测试电压udc关系曲线，进一步搭建振荡频率仿真电路，获取仿真频率fm，并将fm与fexp进行比较，若存在偏差，则调整拟合曲线并迭代优化，直至相邻两轮拟合结果的误差低于设定的误差阈值时终止，从而获得最终准确的结电容Coss‑测试电压udc关系曲线。

本发明授权一种基于拟合迭代的半导体非线性输出结电容测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于拟合迭代的半导体非线性输出结电容测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、搭建半导体器件结电容提取电路； 步骤2、初始数据采集；将待测器件接入结电容提取电路，通过测试平台获取待测器件的关断瞬态波形，利用快速傅里叶变换得到振荡频率fexp；利用振荡频率fexp与结电容及平台寄生参数之间的关系式，反推出待测器件的初始结电容Coss值，结合实际的测试电压udc，生成初始结电容Coss-测试电压udc数据集； 步骤3、初步拟合；采用双曲正切函数对步骤2中生成的初始结电容Coss-测试电压udc数据集进行拟合，采用最小二乘法优化拟合参数，获得初步的结电容Coss-测试电压udc关系曲线； 步骤4、仿真频率匹配；搭建振荡频率仿真电路，仿真输出结电容Coss的动态行为，获取仿真频率fm，并将fm与fexp进行比较，判断拟合曲线的准确性； 步骤5、拟合曲线迭代优化；若fm与fexp之间存在偏差，则对拟合曲线中各电压点对应的Coss值进行微调，更新结电容Coss-测试电压udc数据集，并重新采用双曲正切函数拟合； 步骤6、获得最终准确的输出结电容Coss-测试电压udc关系曲线；重复步骤4与步骤5的迭代过程，直至相邻两轮拟合结果的误差满足预设收敛条件，从而获得最终准确的输出结电容Coss-测试电压udc关系曲线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人昆明七零五所科技发展有限责任公司;浙江大学，其通讯地址为：650000 云南省昆明市五华区学府路690号金鼎科技园内2号平台B1幢楼204房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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