北京集成电路装备创新中心有限公司贾云龙获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利双大马士革工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510526667.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权双大马士革工艺方法是由贾云龙;史小平设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本双大马士革工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双大马士革工艺方法，涉及半导体技术领域。该双大马士革工艺方法包括：在基底上顺序形成介电层、图案化的第一硬掩膜层、第一平坦化层和图案化的第二硬掩膜层；利用第二硬掩膜层干法刻蚀形成停止于基底表面的通孔；去除第二硬掩膜层和第一平坦化层；利用第一硬掩膜层干法刻蚀形成沟槽；去除第一硬掩膜层；形成金属层填充通孔和沟槽，以得到双大马士革结构。该工艺方法能够确保形成通孔的贯通性、通孔底部区域后续形成金属互连结构的低阻、通路；同时第一硬掩膜层于通孔形成之后去除，能够确保通孔关键尺寸的精确传递，提高后续形成金属互连结构关键尺寸的精确度，从而提高芯片产品良率及器件性能。
本发明授权双大马士革工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种双大马士革工艺方法，其特征在于，包括： 在基底200上顺序形成介电层320、图案化的第一硬掩膜层340、第一平坦化层350和图案化的第二硬掩膜层370； 所述第二硬掩膜层370具有能够定义通孔31的通孔开口371，以所述第二硬掩膜层370为掩膜层，对所述通孔开口371进行干法刻蚀使其向下传递并停止于所述基底200表面，以形成通孔31； 去除所述第二硬掩膜层370和所述第一平坦化层350； 利用所述第一硬掩膜层340干法刻蚀形成沟槽32； 去除所述第一硬掩膜层340； 形成金属层391填充所述通孔31和所述沟槽32，以得到双大马士革结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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