北京集成电路装备创新中心有限公司李海岩获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120600631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510600059.2，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备是由李海岩;沈涛;董云鹤设计研发完成，并于2025-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体刻蚀技术领域，具体而言，涉及一种半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，所述方法包括：主刻蚀步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对附着于深槽结构的表层及内壁上部的目标膜层进行刻蚀；沉积步，在深槽结构的表层氧化层的表面沉积自掩膜层；过刻蚀步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对附着于深槽结构的内壁下部的目标膜层进行刻蚀。本发明提供的半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备，可分步实现对附着于深槽结构的表层及内壁上部、下部的目标膜层的刻蚀，且表层氧化层不易被刻蚀；此外，还可保证深槽结构的侧壁槽内的目标膜层的剩余量满足要求。
本发明授权半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体膜层的刻蚀方法，用于刻蚀附着于深槽结构的表层及内壁的目标膜层，其特征在于，所述方法包括： 主刻蚀步，向工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对附着于所述深槽结构的表层及内壁上部的所述目标膜层进行刻蚀； 沉积步，在所述深槽结构的表层氧化层的表面沉积自掩膜层； 过刻蚀步，向所述工艺腔室内通入工艺气体并激发产生等离子体，对附着于所述深槽结构的内壁下部的所述目标膜层进行刻蚀； 所述主刻蚀步中的上射频功率的范围为1200~1600W，下射频功率等于零，气体压力为300~500mT；所述过刻蚀步中，上射频功率为600~1000W，下射频电源采用脉冲模式，下射频功率为40~100W，气体压力为50~80mT，所述下射频电源的脉冲频率为200~500Hz，占空比为20%~50%。
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