北京集成电路装备创新中心有限公司田城获国家专利权
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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种半导体器件的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812356.3，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权一种半导体器件的刻蚀方法是由田城;高铭达;罗永坚;郑砺寒设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件的刻蚀方法，半导体器件包括从下至上依次设置的层叠结构、底部抗反射层和掩膜层；刻蚀方法包括以下步骤：提供第一刻蚀气体，第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和保护气体，确定主刻蚀气体和保护气体的气体比例；第一刻蚀步：在第一刻蚀气体氛围中，刻蚀掩膜层和底部抗反射层，直至露出层叠结构，形成具有倾斜侧壁的掩膜层；其中，倾斜侧壁由上至下向外倾斜。本发明提供一种半导体器件的刻蚀方法，通过调节主刻蚀气体和保护气体的气体比例，改变聚合物在倾斜侧壁的沉积量，调整倾斜侧壁的倾斜角度，可以突破矩形掩膜层的物理极限尺寸所确定的层叠结构的线条宽度，增大层叠结构的线条宽度，从而得到更小尺寸的沟槽。
本发明授权一种半导体器件的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，半导体器件包括从下至上依次设置的层叠结构、底部抗反射层50和掩膜层60； 所述刻蚀方法包括以下步骤： 提供第一刻蚀气体，所述第一刻蚀气体包括主刻蚀气体和保护气体，确定所述主刻蚀气体和所述保护气体的气体比例； 第一刻蚀步，在所述第一刻蚀气体氛围中，刻蚀所述掩膜层60和所述底部抗反射层50，直至露出所述层叠结构，形成具有倾斜侧壁70的掩膜层60；其中，所述倾斜侧壁70由上至下向外倾斜；所述第一刻蚀气体的气体比例与所述倾斜侧壁70的斜率正相关，与所述层叠结构的沟槽的宽度正相关，以及与所述层叠结构的线条宽度负相关； 第二刻蚀步，基于所述具有倾斜侧壁70的掩膜层60，刻蚀所述层叠结构，得到图形化的层叠结构，其中，所述图形化的层叠结构的线条宽度等于所述倾斜侧壁70的延长线与所述层叠结构的上表面的相交点之间的距离。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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