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龙图腾网获悉上海玥晨芯半导体科技有限公司申请的专利电池防反接电路及模拟功率芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120834628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511056265.8，技术领域涉及：H02J7/68；该发明授权电池防反接电路及模拟功率芯片是由龚坤林;郑甜甜设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本电池防反接电路及模拟功率芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种电池防反接电路及模拟功率芯片，属于电池保护领域。包括：控制电路，电源端连接第一电源端；第一NMOS管，栅极与控制电路的第一输出端连接，漏极与第二电源端连接；保护模块，一端与控制电路的电源端连接，另一端接地；第一开关单元，连接于第一NMOS管的漏极与衬底之间，控制电路的第二输出端与第一开关单元连接；当电池正接时，第一NMOS管的源极与电池的负极连接，控制电路用于控制第一NMOS管导通或关断；当电池反接时，第一NMOS管的源极与电池的正极连接，控制电路控制第一开关单元闭合。目的在于解决现有技术中的电池的内部电路不具备防反接功能的问题。实现电池具备防反接功能以保障安全。

本发明授权电池防反接电路及模拟功率芯片在权利要求书中公布了：1.一种电池防反接电路，其特征在于，包括控制电路、保护模块、第一开关单元和第一NMOS管； 所述控制电路的电源端连接第一电源端； 所述第一NMOS管的栅极与所述控制电路的第一输出端连接，所述第一NMOS管的漏极与第二电源端连接； 所述保护模块的一端与所述控制电路的电源端连接，所述保护模块的另一端接地； 所述第一开关单元连接于所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的衬底之间，所述控制电路的第二输出端与所述第一开关单元连接； 当电池正接时，所述第一NMOS管的源极与电池的负极连接，所述控制电路用于控制所述第一NMOS管导通或关断； 当电池反接时，所述第一NMOS管的源极与电池的正极连接，所述控制电路控制所述第一开关单元闭合； 所述第一电源端和所述第二电源端用于连接充电器或负载，还包括低压比较器，所述控制电路上集成有所述低压比较器，所述低压比较器的第一输入端接地，所述低压比较器的第二输入端与所述控制电路的电源端连接，所述低压比较器的输出端与所述第一开关单元连接，所述低压比较器包括最低电压选择电路、比较器电路和比较器输出级： 所述最低电压选择电路的第一输入端与所述第二电源端连接，所述最低电压选择电路的第二输入端接地，所述最低电压选择电路的输出端与所述比较器电路的第一输入端连接； 所述比较器电路的第二输入端与所述控制电路的电源端连接，所述比较器电路的输出端与所述比较器输出级的输入端连接，所述比较器输出级的输出端与所述第一开关单元连接；所述比较器电路包括第二三晶体管和第二比较器模块； 所述第二三晶体管的第一端与所述最低电压选择电路的输出端连接； 所述第二比较器模块的第一输入端与所述第二三晶体管的第二端连接，所述第二比较器模块的第二输入端与所述控制电路的电源端连接，所述第二比较器模块的输出端与所述比较器输出级的输入端连接；所述第二比较器模块包括第七NMOS管、第八NMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，所述第二三晶体管包括第九NMOS管； 所述第七NMOS管的栅极、所述第八NMOS管的栅极及所述第九NMOS管的源极均与所述最低电压选择电路的输出端连接；所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极均与所述第九NMOS管的漏极连接；所述第九NMOS管的栅极接地； 所述第三PMOS管的源极接地，所述第三PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极连接； 所述第三PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的栅极、所述第四PMOS管的漏极以及所述第八NMOS管的漏极均与节点B连接，所述比较器输出级的输入端连接于所述第八NMOS管的漏极与所述节点B之间； 所述第四PMOS管的源极与所述控制电路的电源端连接。

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