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龙图腾网获悉广东嘉元科技股份有限公司申请的专利一种IC封装用铜箔的生产方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120888920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063603.0，技术领域涉及：C23C22/52；该发明授权一种IC封装用铜箔的生产方法是由曾嘉文;叶敬敏;王俊锋;温丙台;温秋霞;王洪杰;温玉清;钟文烺设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种IC封装用铜箔的生产方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子封装材料技术领域，具体为一种IC封装用铜箔的生产方法；本发明先对电解铜箔进行表面处理以引入含氧官能团，完成对电解铜箔表面活化的同时也显著增强了其与后续聚多巴胺‑聚吡咯复合接枝层的附着力，然后依次在电解铜箔的表面制备聚吡咯导电层、聚多巴胺‑聚吡咯复合接枝层、镍过渡层，最后再对二次改性电解铜箔进行电沉积及钝化处理，从而在铜层表面形成一层有机‑无机杂化膜；通过上述工艺处理使得所生产的IC封装用铜箔不仅具有高结合力、低粗糙度和高导电性的优点，还具有优异的耐腐蚀性能、耐磨性能及抗氧化性能，有效地保证了其品质的同时也在一定程度上延长其使用寿命。

本发明授权一种IC封装用铜箔的生产方法在权利要求书中公布了：1.一种IC封装用铜箔的生产方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、对纯度为99.95%的电解铜箔进行清洗，然后采用等离子体对清洗后的电解铜箔进行表面处理；处理完毕后，用氮气吹扫电解铜箔的表面，得活化电解铜箔； 步骤二、在氮气保护下，将活化电解铜箔浸入20-30℃的处理液中，以100-300rmin的速率搅拌反应15-30min；待反应结束，用体积浓度为20-30%的乙醇水溶液对电解铜箔进行四级逆流漂洗后再进行真空干燥； 步骤三、将步骤二处理后的电解铜箔浸入20-30℃的改性液中，在常温、避光环境下，以50-100rmin的速率振荡反应3-6h；待反应完毕，取出电解铜箔并依次经去离子水冲洗及室温晾干，得初次改性电解铜箔； 步骤四、将初次改性电解铜箔浸入0.1-0.2molL、pH值为4.5-5.5的硫酸镍水溶液中并加入摩尔量为硫酸镍0.1-0.2倍的EDTA；在25-35℃的恒温水浴中以100-200rmin的速率搅拌反应10-15min；待反应完毕，取出电解铜箔并依次经去离子水冲洗、乙醇脱水及真空干燥，得二次改性电解铜箔； 步骤五、将二次改性电解铜箔置于电镀液中，在25-30℃的恒温水浴中电沉积3-8μm厚的铜层；再将沉积有铜层的电解铜箔投入钝化液中，于35-45℃的温度下钝化60-90s；最后在氮气的保护下进行梯度热处理即可； 所述等离子体采用氧等离子体，且表面处理时的功率为200-500W，处理时间为3-10min； 所述处理液的制备方法为：向0.2-0.4molL的吡咯单体水溶液中加入摩尔量分别为吡咯单体1.2-1.5倍的过硫酸铵、0.05-0.08倍的十二烷基苯磺酸钠，混合搅拌均匀后即可； 所述改性液的制备方法为：按1-3gL的用量比向pH值为8.5-9的Tris缓冲溶液中加入多巴胺，混合搅拌均匀后即得改性液； 所述电镀液的具体组成为：80-120gL的硫酸铜、120-160gL的硫酸、60-90gL的聚乙烯亚胺、40-60gL的硫脲、30-50gL的聚乙二醇及30-80ppm的氯离子； 所述钝化液的制备方法为：按3-5gL、4-6gL及1-3gL的用量比将纳米二氧化钛、硅烷偶联剂及植酸钠投入去离子水中，混合搅拌均匀后用柠檬酸将其pH调节至4.5-5.5即可。

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