上海深明奥思半导体科技有限公司朱志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深明奥思半导体科技有限公司申请的专利一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120913614B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511065893.2，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列是由朱志龙设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列。所述1T1PFC顺铁电存储单元，包括：一个存储晶体管；一个顺铁电电容器，与所述存储晶体管的栅极连接；存储栅极线，通过垂直连接结构电耦合到顺铁电电容器的底电极和存储晶体管的栅极；其中，所述存储栅极线被配置为：在写入逻辑值后，偏置在保持增强电压或浮置状态，阻断所述底电极的电荷泄放路径，使所述存储晶体管的栅极与顺铁电电容器的底电极形成电荷隔离。本申请的1T1PFC顺铁电存储单元，使用一条专用存储栅极线，防止了写入后的电荷耗散，增强了非易失性和数据保持能力。
本发明授权一种1T1PFC顺铁电存储单元和存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种1T1PFC顺铁电存储单元，其特征在于，包括： 一个存储晶体管； 一个顺铁电电容器，与所述存储晶体管的栅极连接； 存储栅极线，通过垂直连接结构电耦合到顺铁电电容器的底电极和存储晶体管的栅极； 其中，所述顺铁电电容器被配置为通过极化反应写入逻辑值，并调制所述存储晶体管的阈值电压； 所述存储晶体管被配置为：通过调制后的阈值电压，读取逻辑值； 所述存储栅极线被配置为：在写入逻辑值后，偏置在保持增强电压或浮置状态，阻断所述底电极的电荷泄放路径，使所述存储晶体管的栅极与顺铁电电容器的底电极形成电荷隔离。
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