上海深明奥思半导体科技有限公司朱志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深明奥思半导体科技有限公司申请的专利一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120913615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511065979.5，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法是由朱志龙设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法，所述4T2FC铁电存储单元包括：第一存储晶体管，其漏极连接第一控制晶体管的源极；第二存储晶体管，其漏极连接第二控制晶体管的源极；第一铁电电容器，分别连接第一板线和所述第一存储晶体管栅极；第二铁电电容器，分别连接第二板线和所述第二存储晶体管栅极；存储栅极线，分别连接所述第一存储晶体管栅极和所述第二存储晶体管栅极；控制线，连接至所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管的栅极；位线，连接至所述第一控制晶体管和或所述第二控制晶体管的漏极；源线，连接至所述第一存储晶体管和或所述第二存储晶体管的源极。
本发明授权一种4T2FC铁电存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种4T2FC铁电存储单元，其特征在于，包括： 第一存储晶体管，其漏极连接第一控制晶体管的源极； 第二存储晶体管，其漏极连接第二控制晶体管的源极； 第一铁电电容器，分别连接第一板线和所述第一存储晶体管栅极； 第二铁电电容器，分别连接第二板线和所述第二存储晶体管栅极； 存储栅极线，分别连接所述第一存储晶体管栅极和所述第一存储晶体管栅极； 控制线，连接至所述第一控制晶体管和所述第二控制晶体管的栅极； 第一位线，连接至所述第一控制晶体管的漏极； 第二位线，连接至所述第二控制晶体管的漏极； 第一源线，连接至所述第一存储晶体管的源极； 第二源线，连接至所述第二存储晶体管的源极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海深明奥思半导体科技有限公司，其通讯地址为：201100 上海市闵行区兴梅路579弄1号403室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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