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龙图腾网获悉浙江地芯引力科技有限公司;西安电子科技大学申请的专利可调增益放大器中电阻电压系数补偿电路及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120956227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511463440.5，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权可调增益放大器中电阻电压系数补偿电路及电子设备是由王敏;朱樟明;吴志伟;邱政设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本可调增益放大器中电阻电压系数补偿电路及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及集成电路设计技术领域，公开了一种可调增益放大器中电阻电压系数补偿电路，包括：多晶硅电阻，所述多晶硅电阻设置于阱区上方的绝缘层上并包括两个电阻接口和阱区接口，所述多晶硅电阻通过所述电阻接口与预设的运算放大器串联；增益调节运放，所述增益调节运放的输入端与任一个所述电阻接口连接，输出端与所述阱区接口连接，用于根据输入电压调节输出电压，以改变阱区相对于多晶硅电阻的电位，通过电容耦合作用在垂直于所述多晶硅电阻的长度方向上影响所述多晶硅电阻的内部耗尽状态和能带结构，实现对所述多晶硅电阻的电阻电压系数优化。本申请通过电路结构创新实现对多晶硅电阻电压系数的动态优化。

本发明授权可调增益放大器中电阻电压系数补偿电路及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种可调增益放大器中电阻电压系数补偿电路，其特征在于，包括： 多晶硅电阻，所述多晶硅电阻设置于阱区上方的绝缘层上并包括两个电阻接口和阱区接口，所述多晶硅电阻通过所述电阻接口与预设的运算放大器串联； 增益调节运放，所述增益调节运放的输入端与任一个所述电阻接口连接，输出端与所述阱区接口连接，用于根据输入电压Vin调节输出电压Vout，以改变阱区相对于多晶硅电阻的电位，通过电容耦合作用在垂直于所述多晶硅电阻的长度方向上影响所述多晶硅电阻的内部耗尽状态和能带结构，实现对所述多晶硅电阻的电阻电压系数优化； 所述增益调节运放包括：增益电阻R2、偏置电阻R3和R4、可调电阻R1、电流源I1和I2、多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管，PMOS晶体管包括MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7和MP8，NMOS晶体管包括MN1、MN2和MN3； MP1、MP2、MP3、MP6、MP7和MP8的源极连接电源电压VDD，MP1的栅极连接MP2的栅极，MP1的漏极经I1接地，MP2的漏极连接MN1的漏极，MN1、MN2和MN3的源极接地，MP4的漏极经R3接地，MP5的漏极经R4接地，MP2的栅极与漏极连接，MP3的栅极连接MP1的漏极，MP3的漏极连接R1的第一端，MP3的漏极还连接MP4的源极，MP4的栅极接入电压共模电平VCM，MP5的栅极接入输入电压Vin，R1的第二端连接MP5的源极，R1的第二端还连接R2的第一端，R2的第二端连接输出电压Vout，MP8的漏极和MN3的漏极也分别连接Vout，MN3和MN2的栅极均连接MP5的漏极，MN2的漏极连接MP6的漏极，MP6的栅极连接MP7的栅极，MP6的栅极连接MP6的漏极，MP8的栅极连接MP7的漏极，MP7的漏极经I2接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江地芯引力科技有限公司;西安电子科技大学，其通讯地址为：311215 浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期H座111；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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