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龙图腾网获悉苏州紫芯微电子有限公司申请的专利一种MEMS多功能传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120991968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511501789.3，技术领域涉及：G01D21/02；该发明授权一种MEMS多功能传感器及其制备方法是由李晓波;张亚飞;陈中;李佩宁设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS多功能传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS多功能传感器及其制备方法，MEMS多功能传感器包括：第一衬底、第二衬底和传感器组件，第一衬底包括传感器区和环形键合区，环形键合区沿传感器区的周向连接于传感器区，环形键合区与传感器区之间形成周向空腔，周向空腔为环形空腔结构，环形键合区与第二衬底键合连接，环形键合区与第二衬底接触的一端具有环形凹槽，第二衬底覆盖于环形键合区的环形凹槽并形成环形的键合空腔，传感器组件设于传感器区，传感器组件用于感应外部压力。通过用周向空腔及键合空腔四周薄层介质形变抵消部分从键合界面处传递的热应力，有效降低压敏电阻所在位置处的键合热应力，避免因应力集中导致的传感器零点输出漂移，提高传感器输出精度。

本发明授权一种MEMS多功能传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS多功能传感器，其特征在于，所述MEMS多功能传感器包括： 第一衬底，所述第一衬底包括传感器区和环形键合区，所述环形键合区沿所述传感器区的周向连接于所述传感器区，所述环形键合区与所述传感器区之间形成周向空腔，所述周向空腔为环形空腔结构； 第二衬底，所述传感器区与所述第二衬底之间形成端部空腔，所述端部空腔与所述周向空腔连通，所述环形键合区与所述第二衬底键合连接，所述环形键合区与所述第二衬底接触的一端具有环形凹槽，所述第二衬底覆盖于所述环形键合区的所述环形凹槽并形成环形的键合空腔； 传感器组件，所述传感器组件设于所述传感器区，所述传感器组件用于感应外部压力； 所述传感器区具有薄膜空腔，所述薄膜空腔为长方体空腔，垂直于所述第一衬底的厚度方向，所述长方体空腔的截面为正方形，所述薄膜空腔背离所述第二衬底的一侧对应的部分所述传感器区为敏感薄膜； 所述传感器区具有四个块腔，四个所述块腔对应所述薄膜空腔的四角，每一所述块腔连通所述薄膜空腔和所述端部空腔，相邻两个所述块腔之间的部分所述传感器区形成桥梁，四个所述块腔之间的部分所述传感器区形成质量块，所述质量块对应设于所述薄膜空腔的中心。

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