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龙图腾网获悉重庆材料研究院有限公司申请的专利用于柔性压阻传感器的金属掺杂非晶碳薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511185740.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权用于柔性压阻传感器的金属掺杂非晶碳薄膜的制备方法是由刘应瑞;刘奇;薄新维;王小宇;黄文翰;何浩然;韩校宇;姚志远设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于柔性压阻传感器的金属掺杂非晶碳薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：一种用于柔性压阻传感的金属掺杂非晶碳薄膜的制备方法，包括以下步骤：1在八面体结构薄膜沉积设备的真空室内的两个平面矩形靶上分别安装固定纯石墨靶、金属‑石墨拼接靶，纯石墨靶与金属‑石墨拼接靶接在同一电源正负极上，将清洗后的多个柔性基体从上到下依次固定在样品架上下排列设置的相应位置后，将样品架安装在真空室的公转支架；2对真空室抽真空，直至真空度达到5×10‑4Pa；3通过公转支架将样品架旋转至离子源前方，通过调节氧离子刻蚀参数，对柔性基体进行氧离子刻蚀；4刻蚀完成后，通过公转支架将样品架旋转至两个平面矩形靶中间，按照沉积参数控制碳离子与金属离子沉积，使各个柔性基体上分别形成金属掺杂含量不同的非晶碳薄膜。

本发明授权用于柔性压阻传感器的金属掺杂非晶碳薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于柔性压阻传感器的金属掺杂非晶碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在八面体结构薄膜沉积设备的真空室内的第一平面矩形靶上安装固定纯石墨靶，在第二平面矩形靶上安装固定金属-石墨拼接靶，所述金属-石墨拼接靶的金属为铜，所述金属-石墨拼接靶中金属块为三角块，位于平面矩形靶的一角，占整个平面矩形靶面积的14～13，所述纯石墨靶与金属-石墨拼接靶分别接在同一电源的正负极上，将清洗后的多个柔性基体从上到下依次固定在样品架上下排列设置的样品格中，多个柔性基体在样品架上下排列的样品格中呈倾斜排列，倾斜方向与金属块的斜边倾斜方向相同，将固定有柔性基体的样品架安装在真空室内的公转支架上； 2对真空室抽真空，直至真空度达到Pa； 3通过公转支架将样品架旋转至离子源正前方，通过调节八面体结构薄膜沉积设备的氧离子刻蚀参数，对柔性基体进行氧离子刻蚀； 4刻蚀完成后，通过公转支架将样品架旋转至第一、第二平面矩形靶正中间，按照沉积参数控制碳离子与金属离子沉积，使固定在样品架不同高度的各个柔性基体上分别形成金属掺杂含量不同的非晶碳薄膜。

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