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龙图腾网获悉润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511565085.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件是由任永硕;徐玲锐;王荣华;梁辉南设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体公开一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介质层，栅电极的顶部具有沿其周向交错排布的第一功能区和第二功能区，第一功能区和第二功能区均具有多个，第一功能区的阈值电压的绝对值大于第二功能区的阈值电压的绝对值且阈值电压小于0，位于栅电极顶部的所有第一功能区与第二功能区整体在栅电极上的正投影与栅电极重合。本发明的耗尽型GaN器件，有利于优化跨导，改善级联型器件中耗尽型GaN器件与低压MOS器件之间的开关速度的匹配问题，使其不易出现震荡、电磁干扰以及炸管问题，有效提升效率及器件的可靠性。

本发明授权一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型GaN器件，包括源电极、漏电极、栅电极以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介质层，所述源电极、漏电极和栅电极均位于介质层远离叠层结构的一侧，其特征在于，所述栅电极的顶部具有沿其周向交错排布的第一功能区和第二功能区，所述第一功能区和第二功能区均具有多个，所述第一功能区的阈值电压的绝对值大于第二功能区的阈值电压的绝对值且阈值电压小于0，位于所述栅电极顶部的所有第一功能区与第二功能区整体在栅电极上的正投影与栅电极重合； 所述栅电极的上方沿其周向间隔设置有多个功能层，所述功能层的底面与栅电极的顶面贴合，每个所述功能层的顶面形成一个对应的所述第一功能区，相邻两个所述功能层之间的栅电极的顶面形成一个对应的所述第二功能区； 所述功能层通过如下方法制备得到：在所述源电极的上方生长整片热阻材料，再经过图形化刻蚀和退火后形成；所述整片热阻材料覆盖源电极所围合形成的区域，所述热阻材料的热导率小于源电极、漏电极及栅电极的热导率； 或，所述功能层通过如下方法制备得到：在所述源电极、漏电极和栅电极的顶面均再生长一层或多层金属材料，再经过图形化刻蚀和退火后形成；在进行所述图形化刻蚀的步骤之前，所述源电极、漏电极和栅电极顶面的一层或多层金属材料在对应电极上的正投影分别与对应的电极完全重合。

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