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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利背接触电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511543679.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权背接触电池及其制备方法、光伏组件是由张藤曦;李慧敏;冯修;徐孟雷;张昕宇;杨洁设计研发完成，并于2025-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，能够简化制备工艺，背接触电池包括：半导体基底，包括第一表面和第二表面，第一表面包括第一区域、第二区域及第三区域，在第一区域的表面形成有掺杂晶硅区，第三区域位于第一区域和第二区域之间，掺杂晶硅区的导电类型与半导体基底的导电类型相反；第一单元结构，设于第一区域，包括设置于掺杂晶硅区上的第一钝化结构，第一钝化结构还覆盖第三区域；第二单元结构，设于第二区域，第二单元结构包括依次设置的非晶硅层、掺杂非晶硅层、导电膜，掺杂非晶硅层的导电类型与半导体基底的导电类型相同；第一电极，与掺杂晶硅区电接触；第二电极，与掺杂非晶硅层电接触。

本发明授权背接触电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，包括相背设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括第一区域、第二区域及第三区域，在所述第一区域的表面内形成有掺杂晶硅区，所述第三区域位于第一区域和第二区域之间，所述掺杂晶硅区的导电类型与所述半导体基底的导电类型相反； 第一单元结构，设于所述第一区域，沿远离所述第一表面的方向，所述第一单元结构包括设置于掺杂晶硅区上的第一钝化结构，且所述第一钝化结构还覆盖所述第三区域； 第二单元结构，设于所述第二区域，沿远离所述第一表面的方向，所述第二单元结构包括依次设置的非晶硅层、掺杂非晶硅层、导电膜，所述掺杂非晶硅层的导电类型与所述半导体基底的导电类型相同； 第一电极，与所述掺杂晶硅区电接触；及 第二电极，与所述掺杂非晶硅层电接触； 其中，沿平行于所述第一表面的方向，位于所述第三区域中的所述第一钝化结构分为第一部分和第二部分，其中所述第二部分上覆盖所述第二单元结构。

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