无锡金源半导体科技有限公司李凯南获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡金源半导体科技有限公司申请的专利一种加热盘结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121065676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511576893.9，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权一种加热盘结构及制备方法是由李凯南;崔仁权设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种加热盘结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种加热盘结构及制备方法，其中加热盘结构包括盘体、金属块和陶瓷套，盘体包括基座和盖板，基座和盖板相互朝向的端面拼接固定形成拼接界面；盘体沿盘体厚度方向贯穿设置有维修孔，维修孔具有围成维修孔的围壁；金属块设置于维修孔内，金属块的外侧壁与维修孔的围壁之间形成封闭空间，在盘体厚度方向上，拼接界面处于封闭空间限位范围内；金属块沿盘体厚度方向贯穿形成有安装孔；陶瓷套设置于安装孔。本发明实现在使用陶瓷套确保顶针顺畅升降以及延长使用寿命的基础上有效减少拼接界面的气隙对产品性能质量的影响。
本发明授权一种加热盘结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种加热盘结构，其特征在于，包括： 盘体100，包括基座110和盖板120，所述基座110和所述盖板120相互朝向的端面拼接固定并形成拼接界面112； 所述盘体100沿所述盘体100厚度方向贯穿设置有维修孔130，所述维修孔130具有围成所述维修孔130的围壁； 金属块400，设置于所述维修孔130内，所述金属块400的外侧壁与所述维修孔130的围壁之间形成封闭空间131，在所述盘体100厚度方向上，所述拼接界面112处于所述封闭空间131限位范围内；所述金属块400的第一端与所述基座110背离所述盖板120的一端焊接形成第一密封部410，所述金属块400的第二端与所述盖板120背离所述基座110的一端焊接形成第二密封部420； 陶瓷套500，所述金属块400沿所述盘体100厚度方向贯穿形成有安装孔430，所述陶瓷套500设置于所述安装孔430。
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