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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种曝光方法、系统及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511545902.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种曝光方法、系统及半导体器件是由李海峰;张祥平;赵志豪设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种曝光方法、系统及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种曝光方法、系统及半导体器件，涉及半导体技术领域。针对晶圆边缘区域与中心区域的晶面高度差异，本申请在执行用于消除桥接缺陷的第二曝光工艺时，将晶圆划定为多个曝光区块，并基于执行第二曝光工艺前的第一曝光工艺确定各个曝光区块合适的曝光参数，从而在不同晶面高度的曝光区块能进行对应的第二曝光工艺，以规避对晶圆整体执行第二曝光工艺时整体的曝光参数难以适应不同晶面高度的区域的情况尤其是高度较低的边缘区域。此外，前述在确定曝光参数时，本申请通过仿真算法确定第一曝光工艺参数固定时，晶面高度下不同曝光参数对关键尺寸修正的影响，从而确定各个晶面高度下合适的曝光参数，提高半导体器件关键尺寸的精度。

本发明授权一种曝光方法、系统及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种曝光方法，其特征在于，应用于光刻胶曝光系统，所述曝光方法包括： 响应于涂设有光刻胶的目标晶圆放置于工件台上，确定所述目标晶圆各个曝光区块的晶面高度； 确定第一曝光工艺的第一目标曝光参数，其中，响应于所述目标晶圆的晶面高度范围小于曝光焦深范围，确定所述第一曝光工艺中聚焦位置的曝光焦深范围覆盖所述光刻胶与所述目标晶圆在不同晶面高度处的交界面时的第一目标曝光参数，以塑造所述交界面处的关键尺寸； 确定第一相关关系，其中，所述第一相关关系至少反映所述第一曝光工艺相对于不同晶面高度的光刻胶的聚焦深度不同而导致的特定位置的关键尺寸偏差随晶面高度的关系； 针对基于执行所述第一曝光工艺后的目标晶面高度的目标曝光区块进行第二曝光仿真，确定第二相关关系，其中，所述第二相关关系反映第二曝光工艺对所述特定位置处关键尺寸补偿随第二曝光参数的关系，所述第二曝光参数至少包括聚焦位置； 基于所述第一相关关系与所述第二相关关系，确定用于消除所述目标晶面高度下所述特定位置处的关键尺寸偏差的第二目标曝光参数，以确定各个曝光区块的第二目标曝光参数； 基于所述第一目标曝光参数执行所述第一曝光工艺，再基于各个曝光区块的第二目标曝光参数对各个曝光区块依次执行第二曝光工艺。

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