深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司任长友获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司申请的专利一种化合物半导体背孔器件及其制备方法和晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121076034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511597789.8，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权一种化合物半导体背孔器件及其制备方法和晶体管是由任长友;王彤;邓川设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化合物半导体背孔器件及其制备方法和晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种化合物半导体背孔器件及其制备方法和晶体管，属于半导体器件技术领域。所述器件包括化合物半导体衬底、背孔、由化学镀形成的钯、钯合金、铂或铂合金中的一种作为金属种子层、以及电镀形成的AgX合金层X为Au、Pd或Pt，含量0‑50%。制备方法包括蚀刻背孔、化学镀制备种子层、电镀AgX合金层等步骤。本发明利用钯、钯合金、铂或铂合金种子层有效阻挡了银的扩散，解决了传统使用纯金成本高、使用铜或银可靠性差的问题，实现了在大幅降低成本的同时，保证并提高了器件的长期可靠性，特别适用于化合物半导体射频器件。
本发明授权一种化合物半导体背孔器件及其制备方法和晶体管在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体背孔器件，其特征在于，包括： 化合物半导体衬底，其具有正面和背面，所述正面形成有表面金属层； 形成于所述衬底背面并暴露出所述表面金属层的背孔； 通过化学镀工艺形成于所述背孔内及所述衬底背面上的金属种子层，所述金属种子层的材料为钯、钯合金、铂或铂合金中的一种； 形成于所述金属种子层上的AgX合金层，其中X为Au、Pd、Pt中的至少一种，且X在所述AgX合金层中的重量含量为50%以下。
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