合肥晶合集成电路股份有限公司周成获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利芯片电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511563496.8，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权芯片电池及其制备方法是由周成设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片电池及其制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底及至少一条控制线路，每条控制线路包括串联的浮栅晶体管及储能单元，储能单元包括一个或至少两个并联的电容结构，浮栅晶体管的至少部分位于衬底上，电容结构位于衬底内；芯片电池在使用之前执行漏电隔离操作，漏电隔离操作包括在每个浮栅晶体管的控制栅上施加第一电压，将控制线路的一端接地，另一端施加第二电压，第一电压大于第二电压。本申请中的芯片电池没有爆燃问题，充电速度快，不存在低温衰减问题，可以实现充电及放电的精确控制，芯片电池在使用之前会执行漏电隔离操作，实现漏电区块的快速自检测自隔离的效果。
本发明授权芯片电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片电池，其特征在于，包括衬底及至少一条控制线路，每条所述控制线路包括串联的浮栅晶体管及储能单元，所述储能单元包括一个或至少两个并联的电容结构，所述浮栅晶体管的至少部分位于所述衬底上，所述电容结构位于所述衬底内，所述浮栅晶体管的漏区与所述电容结构的一端连接，所述电容结构的另一端作为所述控制线路的一端，所述浮栅晶体管的源区作为所述控制线路的另一端；以及， 所述芯片电池已被执行漏电隔离操作，所述漏电隔离操作包括在每个所述浮栅晶体管的控制栅上施加第一电压，将所述控制线路的一端接地，另一端施加第二电压，所述第一电压大于所述第二电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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