合肥晶合集成电路股份有限公司赵志豪获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121148992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511676224.9，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权半导体结构及其制造方法是由赵志豪;李海峰;沈俊明设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上的图形化光刻胶层；其中，图形化光刻胶层使得部分衬底暴露，图形化光刻胶层包括第一子图形化光刻胶层和第二子图形化光刻胶层；第一子图形化光刻胶层包括第一光刻胶图形结构和凸出于第一光刻胶图形结构的掺杂光刻胶条；第二子图形化光刻胶层包括第二光刻胶图形结构；第二光刻胶图形结构包覆第一光刻胶图形结构和掺杂光刻胶条；掺杂光刻胶条用于限制第一光刻胶图形结构和第二光刻胶图形结构之间的相对位移。通过本申请实施例，减少了大深宽比光刻胶图形结构在经历显影冲洗后出现的分层、倾斜或坍塌等缺陷，提升了光刻胶图形结构的稳定性。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 形成于所述衬底上的图形化光刻胶层；所述图形化光刻胶层使得部分所述衬底暴露，并且包括第一子图形化光刻胶层和第二子图形化光刻胶层； 其中，所述第一子图形化光刻胶层包括第一光刻胶图形结构和凸出于所述第一光刻胶图形结构的掺杂光刻胶条； 所述第二子图形化光刻胶层包括第二光刻胶图形结构；所述第二光刻胶图形结构包覆所述第一光刻胶图形结构和所述掺杂光刻胶条；其中，所述掺杂光刻胶条用于限制所述第一光刻胶图形结构和所述第二光刻胶图形结构之间的相对位移。
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