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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于二氧化钒多频/超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121149702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511346230.8，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权基于二氧化钒多频/超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器及制备方法是由张琳;韩丽君;赵春睿;崔真设计研发完成，并于2025-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于二氧化钒多频/超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开基于二氧化钒多频超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器，包括有M×N个多层结构的多频超宽带可切换太赫兹吸收单元，M×N个多层结构的多频超宽带可切换太赫兹吸收单元呈M×N二维分布，其中M和N都是正整数；每个多层结构的多频超宽带可切换太赫兹吸收单元包括有自上至下依次设置的上层图案化VO2层单元、上层Topas材料介质层、下层VO2层、中间层图案化金层单元、下层Topas材料介质层和底部金层。该太赫兹吸收器借助双层谐振设计和VO2的相变特性，在多频和超宽带情况下，实现高吸收和模式的灵活转换。本发明还提供基于二氧化钒多频超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器的制备方法。

本发明授权基于二氧化钒多频/超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于二氧化钒多频超宽带可切换的太赫兹超材料吸收器，其特征在于，包括有M×N个多层结构的多频超宽带可切换太赫兹吸收单元，M×N个多层结构的多频超宽带可切换太赫兹吸收单元呈M×N二维分布，其中M和N都是正整数； 每个多层结构的多频超宽带可切换太赫兹吸收单元包括有自上至下依次设置的上层图案化VO2层单元1、上层Topas材料介质层2、下层VO2层3、中间层图案化金层单元4、下层Topas材料介质层5和底部金层6； 上层Topas材料介质层2、下层VO2层3、下层Topas材料介质层5和底部金层6均为正方形且边长都相等； 所述上层图案化VO2层单元1包括有一个第一图案化VO2层1-1及四个第二图案化VO2层1-2；第一图案化VO2层1-1为圆环形，设置在上层Topas材料介质层2上表面的中心处；第二图案化VO2层1-2为四分之一圆形，四个第二图案化VO2层1-2分别设置在上层Topas材料介质层2的四个顶角处； 第一图案化VO2层1-1的外圆半径r1为18μm-24μm，第一图案化VO2层1-1的圆环宽度d1为4μm-6μm，第二图案化VO2层1-2所在的圆的半径r2为1.5μm-7.5μm；第一图案化VO2层1-1的厚度t1为0.02μm-0.2μm；第二图案化VO2层1-2的厚度与第一图案化VO2层1-1的厚度相同； 所述中间层图案化金层单元4包括有一个第一图案化金层4-1、四个第二图案化金层4-2及四个第三图案化金层4-3； 第一图案化金层4-1为圆环形，设置在下层Topas材料介质层5上表面的中心处； 第二图案化金层4-2为四分之一圆形，四个第二图案化金层4-2分别设置在下层Topas材料介质层5的四个顶角处； 第三图案化金层4-3为半圆形，每两个第二图案化金层4-2之间设置有一个第三图案化金层4-3；每个第三图案化金层4-3的圆心均与下层Topas材料介质层5边长的中点重合； 第一图案化金层4-1的外圆半径r3为3.6μm-4.2μm，第一图案化金层4-1的圆环宽度d2为4μm-6μm，第二图案化金层4-2所在圆的半径r4为2.8μm-3.5μm，第三图案化金层4-3所在圆的半径为2.6μm-3.2μm；第一图案化金层4-1的厚度t4为1μm-3μm；第二图案化金层4-2及第三图案化金层4-3的厚度均与第一图案化金层4-1的厚度相同。

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