中国电子科技集团公司第五十五研究所李赟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121161418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511696955.X，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法是由李赟;赵志飞;王翼;熊瑞;曹越设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法，所述外延片包括外延层、SiC衬底和调控层，调控层位于衬底背面外部或衬底背面内部，外延层位于衬底正面；其中，所述调控层和衬底之间的晶格失配度与外延层和衬底之间的晶格失配度符号相同，但是绝对值更大；制备方法为：在SiC衬底背面制备调控层；化学机械抛光消除前一步造成的衬底正面沉积和表面划伤；在衬底的正面外延沉积生长外延层；最后化学机械抛光消除外延层表面微坑以及台阶聚并形貌得到所述外延片。本发明通过在衬底的背面引入调控层，调控层弱化了外延层与衬底之间的晶格失配，减少了位错增殖和滑移，制备出具有低缺陷密度且形变较小的高质量碳化硅同质外延片。
本发明授权一种高质量碳化硅同质外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量碳化硅同质外延片，其特征在于，所述外延片包括外延层3、SiC衬底1和调控层2，调控层2位于衬底1背面外部或衬底1背面内部，外延层3位于衬底1正面；其中，所述调控层2和衬底1之间的晶格失配度与外延层3和衬底1之间的晶格失配度符号相同，但是绝对值更大；所述调控层2的元素掺杂浓度高于外延层3元素掺杂浓度2个数量级以上；调控层2的厚度小于等于外延层厚度的三分之一；所述外延层3晶格常数小于衬底1的晶格常数，调控层选用氮掺杂n型层。
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