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龙图腾网获悉浙江广芯微电子有限公司申请的专利一种COOLMOS器件的封装性能预测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121164865B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511698269.6，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种COOLMOS器件的封装性能预测方法及装置是由谢刚;潘文杰设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种COOLMOS器件的封装性能预测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装相关技术领域，具体包括一种COOLMOS器件的封装性能预测方法及装置，包括：确定关键封装特征参数集，确定符合功率COOLMOS器件行业规范的预设性能阈值，配置预设性能阈值的修正系数，设置封装应力动态约束机制，结合键合可靠性干预机制，对封装性能预测参数进行同步校验，输出目标COOLMOS器件的性能评估报告。解决了当COOLMOS器件运行工况波动时，性能阈值与实际性能衰减规律的匹配度低，预测校验与风险关联不足，风险预警滞后的技术问题，实现了动态修正预设性能阈值，设置封装应力动态约束机制，通过动态约束管控封装应力演化风险，提高COOLMOS器件的封装性能预测准确率的技术效果。

本发明授权一种COOLMOS器件的封装性能预测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种COOLMOS器件的封装性能预测方法，其特征在于，所述方法包括： 使用数据总线连通性能预测主机，关联目标COOLMOS器件的型号工艺因素、功率等级因素、应用工况因素，确定关键封装特征参数集； 根据所述目标COOLMOS器件的额定工作参数及封装可靠性标准，确定符合功率COOLMOS器件行业规范的预设性能阈值； 通过芯片结温状态、封装应力状态、键合线老化状态，配置所述预设性能阈值的修正系数，并结合所述关键封装特征参数集，设置封装应力动态约束机制； 基于所述封装应力动态约束机制、键合可靠性干预机制，对所述性能预测主机对应的封装性能预测参数进行同步校验，输出所述目标COOLMOS器件的性能评估报告； 所述方法包括： 将电流蚀损状态、界面分层状态、键合线材料疲劳状态作为所述预设性能阈值的动态修正因子； 基于所述动态修正因子，结合所述关键封装特征参数集，设置所述键合可靠性干预机制； 设置所述键合可靠性干预机制，所述方法包括： 提取键合劣化特征，以所述键合劣化特征的电阻增量值结合当前结温下的热应力水平，确定潜在键合失效加速因子； 以所述键合劣化特征中历史断裂模式的触发条件与当前封装工艺参数的相似度，确定潜在键合失效传导路径； 根据所述潜在键合失效加速因子、所述潜在键合失效传导路径，设置所述键合可靠性干预机制。

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