合肥晶合集成电路股份有限公司马翼蕤获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、高压MOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121194489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511714324.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其制备方法、高压MOS器件是由马翼蕤;蒯照;王少奇设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、高压MOS器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、高压MOS器件，所述半导体结构包括：衬底；所述衬底中形成有源漏区和位于源漏区之间的沟道有源区；场氧化层，位于所述沟道有源区与所述源漏区之间，并定义出所述沟道有源区的边界；栅氧化层，覆盖所述沟道有源区和所述场氧化层；其中，所述栅氧化层表面在与沟道有源区的相邻边界交汇处对应的位置形成有凹陷；处于所述凹陷位置的栅氧化层厚度小于处于其他位置的栅氧化层厚度；栅极层，位于所述栅氧化层表面；其中，所述栅极层在与所述凹陷对应的位置形成有贯穿的开孔。如此，能够一定程度上减少因凹陷位置处的栅氧化层较薄导致的漏电和击穿，提升可靠性。
本发明授权半导体结构及其制备方法、高压MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底中形成有源漏区和位于源漏区之间的沟道有源区； 场氧化层，位于所述沟道有源区与所述源漏区之间，并定义出所述沟道有源区的边界； 栅氧化层，覆盖所述沟道有源区和所述场氧化层；其中，所述栅氧化层表面在与沟道有源区的相邻边界交汇处对应的位置形成有凹陷；处于所述凹陷位置的栅氧化层厚度小于处于其他位置的栅氧化层厚度； 栅极层，位于所述栅氧化层表面；其中，所述栅极层在与所述凹陷对应的位置形成有贯穿的开孔。
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