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龙图腾网获悉湖南世鑫新材料有限公司申请的专利一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法及其材料的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121202569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511769693.5，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法及其材料的应用是由廖洁;李金伟设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法及其材料的应用在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷复合材料制造技术领域，具体涉及一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法，将SiC粉末制备成悬浮液，利用冷气动力喷涂系统将悬浮液沉积在基体上，形成多孔SiC预制体涂层；对预制体涂层进行后固化处理以提升其内聚强度；最后通过熔融渗硅处理，使硅与预制体中的碳反应生成新的SiC相并填充孔隙，以获得致密度高、性能优异的SiC复合材料构件。将低冷喷涂的低温成型的优势与渗硅技术相结合，冷喷涂过程中基体温度较低，有效避免了高温对材料结构的不利影响，保持了SiC原始相稳定性。通过调控喷涂参数与渗硅工艺匹配，可精确控制复合材料中游离硅含量及新生成SiC相的分布状态，进一步提升材料的致密性与力学性能。

本发明授权一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法及其材料的应用在权利要求书中公布了：1.一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法，其特征在于，将SiC粉末制备成悬浮液，利用冷气动力喷涂系统将悬浮液沉积在基体上，形成多孔SiC预制体涂层；对预制体涂层进行后固化处理以提升其内聚强度；最后通过熔融渗硅处理，使硅与预制体中的碳反应生成新的SiC相并填充孔隙，以获得致密度高、性能优异的SiC复合材料构件； 包括以下步骤； S1.悬浮液的制备：将SiC粉末与溶剂混合，按照质量比计，SiC粉末与溶剂的比例为20%~40%：60%~80%；SiC粉末的粒径尺寸为18μm~45μm； S2.SiC预制体涂层的制备：将步骤S1制备的SiC悬浮液喷涂至基体表面，形成SiC预制体涂层； S3.后固化处理：在保护气氛或空气中进行后固化处理，处理温度为40℃~200℃，处理时间为0.5h~12h，以使涂层获得足够的初始强度； S4.渗硅处理：对后固化处理后的SiC预制体涂层进行渗硅处理，渗硅温度范围为1600℃~1900℃，渗硅时间为2h~4h；得到致密的SiC复合材料。

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