陕西迪泰克新材料有限公司王苗获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西迪泰克新材料有限公司申请的专利一种晶体生长装置和晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121228342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511789708.4，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种晶体生长装置和晶体生长方法是由王苗;贾宁波;杨梅;贺琪;张雯;高璐;秦川;张辉;介万奇;席守智设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体生长装置和晶体生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶体生长装置和晶体生长方法，解决了现有芯片制造工艺中晶圆利用率低、晶体生长速度慢、效率低、均匀性差等技术问题。本发明摒弃传统圆柱形安瓿结构，创新性地采用环形安瓿设计，使晶体生长为与目标晶片规格高度适配的内中空圆筒状；将加热器置于安瓿内侧，取代传统外侧加热方式，长晶时配合保温材质的调节中枢，使热量集中作用于晶体，减少热散失；加热器外围为保温材料，有效抑制热辐射外泄，同时调整支撑安瓿的结构，使整个装置简单、成本低、重量轻。
本发明授权一种晶体生长装置和晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长装置，其特征在于： 包括生长炉、调节中枢、加热器以及安瓿； 所述生长炉整体呈圆柱形，包括自下而上依次同轴安装的保温底座、石英罩以及保温顶盖； 所述调节中枢呈圆柱形，同轴插装在生长炉内，与石英罩之间形成环形晶体生长腔，其顶端伸出保温顶盖；所述调节中枢包括两种类型，分别是长晶阶段保温用的调节中枢和降温阶段导热用的调节中枢；在长晶阶段，所述调节中枢的材质为导热系数≤0.5Wm·K的耐火保温材料；在降温阶段，所述调节中枢的材质为导热系数≥2Wm·K的陶瓷材料； 所述加热器稳定支撑在环形晶体生长腔内，并套设在调节中枢外侧，与调节中枢之间留有距离，其为三段式加热器，自上而下包括第一加热器、第二加热器和第三加热器，均采用螺旋状电阻丝制作，通过陶瓷杆稳定支撑在环形晶体生长腔内； 所述安瓿的横截面呈圆环形，其顶部和底部分别通过磨砂石英和保温支撑平台稳定安装在加热器与石英罩之间； 所述石英罩自上而下分为两部分，上部为透明段，下部为磨砂段，且磨砂段顶部高于安瓿顶部。
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