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龙图腾网获悉共模半导体技术(苏州)有限公司申请的专利一种宽共模输入范围的比较器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121239199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511785558.X，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权一种宽共模输入范围的比较器电路是由王朗圆;刘霏;张书瑜设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽共模输入范围的比较器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽共模输入范围的比较器电路，通过结合共栅差分对和辅助差分对，实现了从地电压到高于电源电压的宽共模输入范围。当共模电压较低时，仅辅助差分对工作；当共模电压在中间范围时，两个差分对同时工作以获得最大增益；当共模电压较高时，仅共栅差分对工作；通过这种设计，解决了传统比较器共模输入范围受限的问题。

本发明授权一种宽共模输入范围的比较器电路在权利要求书中公布了：1.一种宽共模输入范围的比较器电路，其特征在于，所述比较器电路包括一个输入级和级联的多个次级放大电路； 输入级，包括共栅差分对和辅助差分对，用于接收输入信号并生成差分输出信号至次级放大电路；其中，所述输入级的共栅差分对和辅助差分对配置为扩展共模输入范围；当输入级采用PMOS输入对结构时，实现最低到地电平，最高高于供电电压的共模输入范围；当输入级采用NMOS输入对结构时，实现最低低于地电平，最高到供电电压的共模输入范围； 次级放大电路，用于对输入级输出的信号进行放大处理，生成比较器的输出信号； 当输入级采用PMOS输入对结构时；所述共栅差分对包括PMOS管M1-M4；PMOS管M1、M2各自的源极分别连接至模拟输入信号的正输入端INP，PMOS管M1的漏极连接负载R1和正输出节点OUT1P，PMOS管M1、M2的栅极和M2的漏极相连，共同耦合至一第一偏置电流源Ibiasn，从而提供有效的输入级增益；PMOS管M3、M4各自的源极分别连接至模拟输入信号的负输入端INM，PMOS管M4的漏极连接负载R2和负输出节点OUT1N，PMOS管M3、M4的栅极和M3的漏极相连，共同耦合至一第一偏置电流源Ibiasn，从而提供有效的输入级增益；其中，PMOS管M1、M4对PMOS管M2、M3进行电流镜像以固定共栅差分对的总偏置电流并提高输入级增益；同时，由第一偏置电流源Ibiasn为PMOS管M2、M3提供偏置电流；所述辅助差分对包括PMOS管M5、M6，所述PMOS管M5、M6共源极连接，并由第二偏置电流源Ibiasp提供偏置电流，所述PMOS管M5、M6的栅极分别串接电阻R3、R4后接对应模拟输入信号的正输入端INP、负输入端INM；PMOS管M5的漏端连接负载R1和输出节点OUT1P，PMOS管M6的漏端连接负载R2和输出节点OUT1N； 当输入级采用NMOS输入对结构时；所述共栅差分对包括NMOS管M1＇-M4＇；NMOS管M1＇、M2＇各自的源极分别连接至模拟输入信号的正输入端INP＇，NMOS管M1＇的漏极连接负载R1＇和正输出节点OUT1P＇，NMOS管M1＇、M2＇的栅极和M2＇的漏极相连，共同耦合至一第一偏置电流源Ibiasp＇，从而提供有效的输入级增益；NMOS管M3＇、M4＇各自的源极分别连接至模拟输入信号的负输入端INM＇，NMOS管M4＇的漏极连接负载R2＇和负输出节点OUT1N＇，NMOS管M3＇、M4＇的栅极和M3＇的漏极相连，共同耦合至一第一偏置电流源Ibiasp＇，从而提供有效的输入级增益；其中，NMOS管M1＇、M4＇对NMOS管M2＇、M3＇进行电流镜像以固定共栅差分对的总偏置电流并提高输入级增益；同时，由第一偏置电流源Ibiasp＇为NMOS管M2＇、M3＇提供偏置电流；所述辅助差分对包括NMOS管M5＇、M6＇，所述NMOS管M5＇、M6＇共源极连接，并由第二偏置电流源Ibiasn＇提供偏置电流，所述NMOS管M5＇、M6＇的栅极分别串接电阻R3＇、R4＇后接对应模拟输入信号的正输入端INP＇、负输入端INM＇；NMOS管M5＇的漏端连接负载R1＇和输出节点OUT1P＇，NMOS管M6＇的漏端连接负载R2＇和输出节点OUT1N＇。

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