合肥晶合集成电路股份有限公司田志锋获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121281606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511834420.4，技术领域涉及：G11C29/54；该发明授权测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法是由田志锋;袁野;黄小杰设计研发完成，并于2025-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法，测试结构包括：静态随机存取存储器单元，包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；量测单元，包括连接第一位线的第一量测晶体管和连接第二位线的第二量测晶体管；其中，第一量测晶体管用于在第一存储节点为高电平，且第二存储节点为低电平的情况下作为电阻使用，以量测出第一目标电流；第二量测晶体管用于在第一存储节点为低电平，且第二存储节点为高电平的情况下作为电阻使用，以量测出第二目标电流；在第一目标电流与第二目标电流不一致的情况下，静态随机存取存储器单元被认定存在失配。如此，可以在占用较少面积的情况下，实现静态随机存取存储器单元的失配认定。
本发明授权测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括： 静态随机存取存储器单元，包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；其中，所述第一传输晶体管分别连接第一存储节点和第一位线；所述第二传输晶体管分别连接与所述第一存储节点逻辑互补的第二存储节点和与所述第一位线反相的第二位线； 量测单元，包括连接第一位线的第一量测晶体管和连接第二位线的第二量测晶体管； 其中，所述第一量测晶体管用于在第一存储节点为高电平，且第二存储节点为低电平的情况下作为电阻使用，以量测出第一目标电流；所述第二量测晶体管用于在第一存储节点为低电平，且第二存储节点为高电平的情况下作为电阻使用，以量测出第二目标电流；其中，在所述第一目标电流与所述第二目标电流不一致的情况下，所述静态随机存取存储器单元被认定存在失配。
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