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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121284966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511862201.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备是由许庆爽;綦殿禹;李广济;吴永玉设计研发完成，并于2025-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备，该浮栅型闪存结构包括衬底；离子注入层，离子注入层形成在衬底上，离子注入层中形成有源极和漏极；选择栅极，选择栅极形成在离子注入层上；沟槽，沟槽贯穿选择栅极后停止在离子注入层的表面；沟槽的底部和相对的侧壁上形成具有梯度的浮栅结构；沟槽中除浮栅结构之外的区域形成有控制栅极；擦除栅极，擦除栅极形成在控制栅极和选择栅极上。本申请通过多次沉积和刻蚀形成具有梯度的浮栅结构，使得浮栅结构的高度和长度可以在多次沉积和刻蚀过程中进行灵活调整，从而优化存储单元的电学特性，提高闪存的可靠性、耐用性和读写速度。

本发明授权浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型闪存结构，其特征在于，包括： 衬底； 离子注入层，所述离子注入层形成在所述衬底上，所述离子注入层中形成有源极和漏极； 选择栅极，所述选择栅极形成在所述离子注入层上； 沟槽，所述沟槽贯穿所述选择栅极后停止在所述离子注入层的表面；所述沟槽的底部和相对的侧壁上形成具有梯度的浮栅结构，所述浮栅结构为在所述沟槽中进行浮栅材料的多次沉积和刻蚀得到，每次浮栅材料的沉积的厚度，小于前一次浮栅材料的沉积的厚度；所述沟槽中除所述浮栅结构之外的区域形成有控制栅极；所述厚度表征沿所述沟槽侧壁的沉积延伸尺寸； 擦除栅极，所述擦除栅极形成在所述控制栅极和所述选择栅极上； 其中，所述浮栅型闪存结构的形成方法包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成离子注入层； 在所述离子注入层上形成选择栅极； 形成贯穿所述选择栅极后停止在所述离子注入层的表面的沟槽； 在所述沟槽的底部和相对的侧壁上进行浮栅材料的多次沉积和刻蚀，得到具有梯度的浮栅结构；每次浮栅材料的沉积的厚度小于前一次浮栅材料的沉积的厚度； 在所述衬底中形成源极； 在所述沟槽中除所述浮栅结构之外的区域形成控制栅极； 在所述控制栅极和所述选择栅极上形成擦除栅极； 在所述衬底中形成漏极。

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