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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利电容结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121284981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511823185.0，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容结构及其形成方法是由仇佳;陶然设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成底层介质层；在所述底层介质层内形成底层金属极板；在所述底层金属极板上形成介质叠层；在所述介质叠层上形成顶层介质层；在所述顶层介质层内形成顶层金属极板，所述顶层金属极板具有窄部和宽部，呈上宽下窄的台阶结构；其中，所述顶层金属极板的窄部的宽度与所述顶层金属极板的宽部的宽度的比值选自0.85,1，所述顶层金属极板的窄部的厚度与所述顶层金属极板的宽部的厚度的比值大于等于1.5。采用上述方案，能够提高电容结构的性能。

本发明授权电容结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括： 形成底层介质层； 在所述底层介质层内形成底层金属极板； 在所述底层金属极板上形成介质叠层； 在所述介质叠层上形成顶层介质层； 在所述顶层介质层内形成顶层金属极板，所述顶层金属极板具有窄部和宽部，呈上宽下窄的台阶结构； 其中，所述顶层金属极板的窄部的宽度与所述顶层金属极板的宽部的宽度的比值选自0.85,1，所述顶层金属极板的窄部的厚度与所述顶层金属极板的宽部的厚度的比值大于等于1.5； 形成所述顶层金属极板的步骤，包括： 在所述介质叠层上形成顶层介质叠层，所述顶层介质叠层自下至上包含第一顶层介质层和第二顶层介质层； 对所述顶层介质叠层进行刻蚀，得到第一顶层极板槽和第二顶层极板槽，所述第一顶层极板槽的底部暴露出所述介质叠层，第一顶层极板槽的宽度小于第二顶层极板槽的宽度； 采用双大马士革工艺填充所述第一顶层极板槽和第二顶层极板槽，并采用平坦化工艺，得到所述顶层金属极板； 其中，在所述顶层金属极板的电位高于底层金属极板的电位的情况下，所述第一顶层介质层的介电常数小于第二顶层介质层的介电常数。

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