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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种高精度无损评估晶体激光损伤阈值的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121298571B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511851539.2，技术领域涉及：G01N17/00；该发明授权一种高精度无损评估晶体激光损伤阈值的方法是由苏良碧;单翀;姜大朋;寇华敏;张中晗;吴庆辉;刘荣荣;薛艳艳;方立志;韩平设计研发完成，并于2025-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度无损评估晶体激光损伤阈值的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高精度无损评估晶体激光损伤阈值的方法，包括利用光致发光测试系统对待测晶体进行缺陷态表征，获得晶体内部缺陷态信息；利用光热弱吸收测试系统对待测晶体进行表面吸收特性测试，获得吸收系数修正因子；将缺陷态信息和吸收系数修正因子输入包含缺陷态项的自由电子密度分析模型，计算激光辐照条件下的自由电子密度；基于自由电子密度，通过光学‑热学‑力学多物理场耦合分析模型计算晶体的温度场分布和热应力分布；以及根据自由电子密度、温度场分布和热应力分布与预设损伤阈值的比较结果，确定待测晶体的激光损伤阈值。本发明实现了对晶体激光损伤阈值的高精度无损评估，可显著降低测试成本并提高评估准确性。

本发明授权一种高精度无损评估晶体激光损伤阈值的方法在权利要求书中公布了：1.一种高精度无损评估晶体激光损伤阈值的方法，其特征在于，包括： 利用光致发光测试系统对待测晶体进行缺陷态表征，获得晶体内部缺陷态信息； 利用光热弱吸收测试系统对所述待测晶体进行表面吸收特性测试，获得吸收系数修正因子； 将所述缺陷态信息和所述吸收系数修正因子输入包含缺陷态项的自由电子密度分析模型，计算激光辐照条件下的自由电子密度，其中，所述包含缺陷态项的自由电子密度分析模型的计算公式表示为：自由电子密度变化率等于价带电子通过多光子吸收、隧穿电离以及雪崩电离形成的自由电子密度项减去导带电子弛豫项，加上缺陷态电子光致电离项减去缺陷态电子密度弛豫项，所述多光子吸收、隧穿电离以及雪崩电离项均包含所述吸收系数修正因子与入射激光强度的乘积； 基于所述自由电子密度，通过光学-热学-力学多物理场耦合分析模型计算晶体的温度场分布和热应力分布；以及 根据所述自由电子密度、温度场分布和热应力分布与预设损伤阈值的比较结果，确定所述待测晶体的激光损伤阈值。

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