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龙图腾网获悉中国科学院上海光学精密机械研究所申请的专利一种分析漏率对高真空系统中水蒸气抽气行为影响的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121365565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511945548.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种分析漏率对高真空系统中水蒸气抽气行为影响的方法是由朱美萍;黄凯;李静平;邵建达设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分析漏率对高真空系统中水蒸气抽气行为影响的方法在说明书摘要公布了：一种分析漏率对高真空系统中水蒸气抽气行为影响的方法，通过静态压升实验量化系统水蒸气外部漏率，并在多种内部构型下获取实验抽气曲线；基于实际几何结构建立三维有限元模型，引入吸附能随表面覆盖度对数变化的异质性吸附‑解吸动力学方程，并利用多组实验曲线反演标定黏附系数、吸附位点密度等关键参数；最后，在验证准静态平衡条件后，基于标定模型定量仿真分析不同漏率大小及漏孔空间分布对抽气过程和腔内压强空间均匀性的影响。本发明解决了传统模型依赖经验参数、忽视漏率空间效应的问题，能为高真空系统的密封设计、泄漏诊断与性能优化提供精确的定量依据。

本发明授权一种分析漏率对高真空系统中水蒸气抽气行为影响的方法在权利要求书中公布了：1.一种分析漏率对高真空系统中水蒸气抽气行为影响的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1.获取实测数据 对目标高真空系统进行静态压升实验，测量高真空系统的总外部漏率，并根据环境参数将其换算为水蒸气外部漏率； 在至少两种不同的内部结构配置下分别进行水蒸气抽气实验，同步记录水蒸气压强随时间的变化，得到多组实验水蒸气抽气曲线； 步骤S2.建立包含漏率设置的有限元模型 基于步骤S1中实验所对应的高真空系统具体结构，建立包含腔室内壁、内部构件及潜在泄漏位置的三维几何模型； 在所述三维几何模型中，将所述潜在泄漏位置设置为漏孔单元，并根据所述水蒸气外部漏率为所述漏孔单元施加等效分子通量边界条件，得到包含漏率设置的有限元模型； 步骤S3.仿真水蒸气抽气过程 在所述有限元模型中引入水蒸气吸附-解吸动力学方程，所述吸附-解吸动力学方程包括： .表面吸附能与表面覆盖度的关系： ； 其中，为初始吸附能，为表征表面异质性程度的比例系数； i.吸附分子的驻留时间与表面吸附能的Arrhenius关系： ； 其中，为分子固有振荡频率，为气体常数，为热力学温度； ii.水蒸气吸附通量、脱附通量以及表面覆盖度随时间t的守恒关系： ； ； ； 其中，为黏附系数，为饱和吸附位点密度，为单位面积上的吸附分子数，为入射分子通量； iv.入射分子通量与水蒸气压强及平均分子热速度的关系： ； 基于所述吸附-解吸动力学方程，求解所述有限元模型，获得仿真水蒸气抽气曲线； 步骤S4.标定吸附动力学参数 将步骤S3获得的仿真水蒸气抽气曲线和步骤S1获得的实验水蒸气抽气曲线，进行匹配，通过参数优化确定黏附系数、饱和吸附位点密度、初始吸附能及表征表面异质性程度的比例系数的取值； 步骤S5.分析漏率对抽气行为的影响 基于标定后的吸附动力学参数，在所述有限元模型中改变水蒸气外部漏率和或漏孔单元的空间分布，通过仿真获得不同漏率条件下水蒸气压强随时间的变化以及水蒸气压强的空间分布，实现对漏率影响效应的定量分析。

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