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龙图腾网获悉天通瑞宏科技有限公司申请的专利一种键合晶圆及其制备方法、滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511960047.7，技术领域涉及：H10N30/086；该发明授权一种键合晶圆及其制备方法、滤波器是由邓小兵;庄林海;徐晓聪;汪炎杰;归欢焕设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种键合晶圆及其制备方法、滤波器在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种键合晶圆及其制备方法、滤波器，制备方法包括：提供晶圆衬底，晶圆衬底包括第一衬底表面和第二衬底表面；提供压电层并调整压电层位于第一衬底表面的一侧，压电层包括第一压电表面和第二压电表面；键合压电层和晶圆衬底并制备键合单元；对键合单元的第二压电表面减薄并制备第二压电减薄面，第二压电减薄面包括第一减薄单元和第二减薄单元；对第二压电减薄面抛光并制备第二压电抛光面；其中抛光单元远离第二衬底表面的表面到第二衬底表面的最大距离为h3，抛光单元远离第二衬底表面的表面到第二衬底表面的最小距离为h4，h3‑h4≤300纳米。采用本发明实施例提供的制备方法制备的键合晶圆可以提升整体的膜厚均匀性。

本发明授权一种键合晶圆及其制备方法、滤波器在权利要求书中公布了：1.一种键合晶圆的制备方法，其特征在于， 提供晶圆衬底，所述晶圆衬底包括相对设置的第一衬底表面和第二衬底表面； 提供压电层并调整所述压电层位于所述第一衬底表面的一侧；所述压电层包括相对设置的第一压电表面和第二压电表面，所述第一压电表面位于所述第二压电表面靠近所述晶圆衬底的一侧； 键合所述压电层和所述晶圆衬底并制备键合单元；所述第二压电表面与所述第二衬底表面的距离为h0； 对所述键合单元的所述第二压电表面减薄并制备第二压电减薄面，所述第二压电减薄面包括多个减薄单元，所述减薄单元至少包括第一减薄单元和第二减薄单元；沿所述晶圆衬底的厚度方向，所述第一减薄单元远离所述第二衬底表面的表面到所述第二衬底表面的距离为h1，所述第二减薄单元远离所述第二衬底表面的表面到所述第二衬底表面的距离为h2，其中，h0＞h1，h0＞h2，|h1-h2|＞0； 对所述第二压电减薄面抛光并制备第二压电抛光面，所述第二压电抛光面包括多个抛光单元，对所述第一减薄单元抛光制备第一抛光单元，对所述第二减薄单元抛光制备第二抛光单元；沿所述晶圆衬底的厚度方向，所述抛光单元远离所述第二衬底表面的表面到所述第二衬底表面的最大距离为h3，所述抛光单元远离所述第二衬底表面的表面到所述第二衬底表面的最小距离为h4，其中，h3-h4≤300纳米。

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