合肥晶合集成电路股份有限公司徐华超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971881.6，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路是由徐华超;崔立加;郑威;王燕设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围的部分多层层间介质层，在接触孔远离底层金属层的一侧形成沟槽，接触孔靠近底层金属层的一侧形成通孔；同步蚀刻多层层间介质层顶部，使相邻的异形接触孔连通；以及在通孔、沟槽和异形接触孔内沉积导电材料层，通孔和沟槽中的导电材料层形成大马士革结构，异形接触孔内的导电材料层形成密封环。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，可简化制程并减少缺陷。
本发明授权一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构包括器件区和密封环区，且所述制作方法至少包括以下步骤： 在底层金属层上设置多层层间介质层； 蚀刻所述多层层间介质层，在所述器件区形成垂直接触孔，在所述密封环区形成异形接触孔，且所述异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小； 蚀刻所述垂直接触孔外围的部分所述多层层间介质层，在所述垂直接触孔远离所述底层金属层的一侧形成沟槽，所述垂直接触孔靠近所述底层金属层的一侧形成通孔； 同步蚀刻所述多层层间介质层顶部，使相邻的所述异形接触孔连通；以及 在所述通孔、所述沟槽和所述异形接触孔内沉积导电材料层，所述通孔和所述沟槽中的导电材料层形成大马士革结构，所述异形接触孔内的导电材料层形成密封环，且相邻所述密封环连通。
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