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龙图腾网获悉朋熙半导体科技(北京)有限公司申请的专利半导体MES系统通过扩展MyBatisPlus实现高效存储数据的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121434222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512015788.4，技术领域涉及：G06F16/23；该发明授权半导体MES系统通过扩展MyBatisPlus实现高效存储数据的方法及系统是由左涛瑞;魏春力设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体MES系统通过扩展MyBatisPlus实现高效存储数据的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体智能制造技术领域，且公开了半导体MES系统通过扩展MyBatisPlus实现高效存储数据的方法及系统，系统包括乐观锁模块、逻辑删除模块、扩展模块、加载模块，方法通过引入数据版本机制和逻辑删除机制，进行乐观锁并发控制处理；基于数据版本检查结果和逻辑删除机制，扩展MyBatisPlus框架以定义全量更新数据的模板方法，通过自定义SQL注入器继承并扩展默认注入器；在系统启动阶段通过替换自定义SQL注入器并创建数据访问工厂，综合运用数据版本控制、逻辑删除和全量更新数据执行数据操作。本发明提高制造执行系统的数据可靠性和智能制造系统决策的准确性和稳定性，提升系统数据管理的灵活性。

本发明授权半导体MES系统通过扩展MyBatisPlus实现高效存储数据的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体MES系统通过扩展MyBatisPlus实现高效存储数据的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： S1、引入数据版本机制和逻辑删除机制，在数据库表中添加数据版本字段和数据可用状态字段，并在数据创建时初始化版本信息及设置可用状态； S2、基于所述数据版本机制进行乐观锁并发控制处理，生成数据版本检查结果； S3、依据所述数据版本检查结果和逻辑删除机制进行数据操作处理，生成数据更新及删除指令； S4、响应于所述数据操作处理，扩展MyBatisPlus框架以补充全量更新功能，定义全量更新数据的模板方法，实现预生成全量更新SQL语句； S5、基于所述全量更新数据的模板方法进行自定义SQL注入器处理，将模板方法植入到注入器中，增强SQL注入功能； S6、通过自定义SQL映射器扩展MyBatisPlus默认映射器，利用所述自定义SQL注入器完成模板方法与数据访问对象的映射； S7、在系统启动阶段，替换所述自定义SQL注入器并创建数据访问工厂，基于所述数据版本机制、逻辑删除机制和全量更新数据的模板方法执行数据操作，生成数据存储结果； 其中，所述S5中的基于所述全量更新数据的模板方法进行自定义SQL注入器处理，将模板方法植入到注入器中，增强SQL注入功能包括以下操作： S51、继承MyBatisPlus默认的AbstractSqlInjector类，保留框架原有方法； S52、通过重写inspectInject方法，将全量更新模板方法注册为新的SQL方法； S53、植入所述全量更新模板方法到注入器中，增强SQL注入功能； 所述S6中的通过自定义SQL映射器扩展MyBatisPlus默认映射器，利用所述自定义SQL注入器完成模板方法与数据访问对象的映射包括以下操作： S61、扩展MyBatisPlus的BaseMapper接口，添加全量更新方法定义； S62、通过XML配置及注解方式，将自定义SQL注入器与数据访问对象关联； S63、为每类数据访问对象生成代理实例，实现模板方法与对象的映射。

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