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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种孔结构调控强化氢同位素模拟移动床分离的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121466799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610018736.4，技术领域涉及：B01D59/26；该发明授权一种孔结构调控强化氢同位素模拟移动床分离的方法是由郝广平;景栋民;陆安慧设计研发完成，并于2026-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种孔结构调控强化氢同位素模拟移动床分离的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种孔结构调控强化氢同位素模拟移动床分离的方法，属于氢同位素分离提纯技术领域。包括将装填有预活化吸附剂的吸附柱及相应气体管路浸没到溶剂中；向至少两个执行吸附的吸附柱内通入氢同位素原料气，至少两个执行置换的吸附柱内通入置换气，至少两个执行再生的吸附柱进行再生；每运行4~20min，切换阀门使吸附柱执行不同操作以模拟吸附剂相对于气体逆向移动；氢同位素原料气包括H2D2或H2OD2O，置换气包括D2或D2O；吸附剂为孔结构可调的微介孔材料，孔径范围为0.4~5nm。本发明具有优异的分离性能，D2纯度达到98%，H2和D2的回收率为95%，且在20min内即可完全再生脱附；D2O纯度达到90%，30min内即可完全再生，大大提高氢氘之间的选择性与分离效率。

本发明授权一种孔结构调控强化氢同位素模拟移动床分离的方法在权利要求书中公布了：1.一种孔结构调控强化氢同位素模拟移动床分离的方法，其特征在于：采用氢同位素模拟移动床进行分离，包括如下步骤： S1将吸附柱中装填预活化的吸附剂，并使用惰性气体吹扫管路与吸附剂以去除杂质气体； S2将吸附柱及相应气体管路浸没到温度恒定的溶剂中，所述溶剂的温度为77K~423K，待温度恒定；在此过程中关闭吸附柱的出口阀门，持续往吸附柱内通入惰性气体，维持塔内压力为正压，防止杂质气体进入； S3向至少两个执行吸附的吸附柱内通入氢同位素原料气，至少两个执行置换的吸附柱内通入置换气，至少两个执行再生的吸附柱进行再生； S4每运行4~20min，切换阀门使吸附柱执行不同操作以模拟吸附剂相对于气体逆向移动，经过切阀后，执行吸附的第一吸附柱执行置换操作，执行置换的第一吸附柱执行再生操作，执行再生的第一吸附柱执行吸附操作，其余吸附柱均模拟同向移动；具体为第X吸附柱执行原第X-1吸附柱所执行操作X≥2，第一吸附柱执行原最后吸附柱所执行操作； 所述氢同位素原料气包括H2D2或H2OD2O，所述置换气包括D2或D2O； 所述吸附剂为孔结构可调的微介孔材料，所述微介孔材料包括硅基材料、碳基材料、金属离子改性的硅基材料和金属离子改性的碳基材料中的一种或几种，所述微介孔材料的孔径范围为0.4~5nm。

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