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龙图腾网获悉合肥芯谷微电子股份有限公司申请的专利一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121508471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610038502.6，技术领域涉及：H03F3/21；该发明授权一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件是由钱威;黄军恒设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件，涉及谐波抑制放大器技术领域，本发明通过引入多级功率放大器的级联设计，结合内匹配技术和高介电陶瓷及钼铜载片的创新应用，成功解决了增益提升、谐波抑制以及热管理等问题。该方案实现了小型化设计，功率密度和增益同样得到了提高，谐波抑制性能提升至‑45dBc，效率也得到了优化。同时，采用钼铜载片与共形散热模块结合，能够有效降低热阻，延长器件的使用寿命，并满足严苛的高温、高频环境要求，提高了系统的可靠性和工作效率，同时减少了设备的尺寸和重量。

本发明授权一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件在权利要求书中公布了：1.一种具有高谐波抑制小型化载片式内匹配功率放大器件，其特征在于，具体包括： 失真校正模块，所述失真校准模块和信号输入端电性连接，用于接收待放大信号，对待放大信号进行预失真和信号校正处理以获得第二信号，并将第二信号发送至分布式放大模块； 分布式放大模块，所述分布式放大模块和失真校准模块电性连接，包括两组级联的输入结构，输入结构包括依次串联的输入匹配电路、GaN子单元、非线性传输线单元、输出匹配电路，其中： 输入匹配电路、输出匹配电路用于降低第二信号在传输过程中的反射和损耗； 靠近失真校正模块的GaN子单元为驱动级，远离失真校正模块的GaN子单元为放大级，其中驱动级用于对放大级提供驱动信号，放大级用于对第二信号进行放大以得到第三信号； 两组GaN子单元沿信号传输方向进行排列设置，且通过调整两组非线性传输线单元的长度差，使得第二信号、第三信号所产生的谐波相位差为的奇数倍，两组非线性传输线单元的长度差满足： 式中表示两组非线性传输线单元的长度差，表示第二信号、第三信号的中心波长，表示中心波长的奇数倍，表示倍率系数，为含0自然数，表示谐波阶数； 其中中心波长由中心频率和基板材料的有效介电常数决定，其计算方式为： 式中表示光速，表示预设的中心频率，表示基板材料的有效介电常数； 非线性传输线单元用于抑制GaN子单元放大过程中产生的谐波； 隔离模块，所述隔离模块串联在两组级联的输入结构之间，用于通过调节阻抗的方式来降低两组输入结构之间的信号干扰； 滤波模块，所述滤波模块与分布式放大模块电性连接，用于对第三信号进行滤波处理以生成输出信号。

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