湖南恩智测控技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖南恩智测控技术有限公司申请的专利MOS管串联控制电路、电子负载及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223987036U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422004670.2，技术领域涉及：H02M1/088；该实用新型MOS管串联控制电路、电子负载及电子设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOS管串联控制电路、电子负载及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种MOS管串联控制电路、电子负载及电子设备，包括：MOS管单元，MOS管单元包括第一MOS管，和与第一MOS管串联的至少一个第二MOS管；控制单元；至少一个均压单元，所述均压单元与所述第二MOS管对应，所述均压单元包括高电位端、低电位端、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容。本申请能够实现串联后MOS管的源漏极电压均等，提高电子负载的环路响应速度，以及承载高电压输入时的稳定性。
本实用新型MOS管串联控制电路、电子负载及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种MOS管串联控制电路，其特征在于，包括： MOS管单元，所述MOS管单元包括第一MOS管，和与所述第一MOS管串联的至少一个第二MOS管； 控制单元，所述控制单元连接所述第一MOS管的栅极以控制第一MOS管的导通状态； 电源端，所述电源端连接所述第二MOS管的输入端，所述第一MOS管的输出端接地； 至少一个均压单元，所述均压单元与所述第二MOS管对应，所述均压单元包括高电位端、低电位端、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，所述第二MOS管的栅极通过互相并联的所述第一电阻和所述第一电容连接所述低电位端，所述第二MOS管的栅极通过互相并联的所述第二电阻和所述第二电容连接所述高电位端，所述第二MOS管的漏极通过所述第三电容连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的栅极通过所述第四电容连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极连接所述高电位端，所述第一电阻和所述第二电阻的阻值相等； 第五电容，所述第一MOS管的漏极通过所述第五电容连接所述第一MOS管的源极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南恩智测控技术有限公司，其通讯地址为：410200 湖南省长沙市望城经济技术开发区马桥河路二段308号联东金煜产业中心B23.B24栋101号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励