纳晶科技股份有限公司胡保忠获国家专利权
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龙图腾网获悉纳晶科技股份有限公司申请的专利一种蓝光量子点及其制备方法、电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109370564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811259248.4，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权一种蓝光量子点及其制备方法、电子器件是由胡保忠;毛雁宏;高远设计研发完成，并于2018-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蓝光量子点及其制备方法、电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种蓝光量子及其制备方法、电子器件。该蓝光量子点包括量子点核、依次包覆于量子点核外的第一壳层和第二壳层，量子点核为ZnS，第二壳层为ZnS，第一壳层包括Zn元素、Se元素以及X元素，X元素为Cd元素或Te元素。本发明的蓝光量子点，利用单分散的小尺寸ZnS作为模板，然后在ZnS外生长XZnSe或ZnXSe壳层、ZnS壳层，得到的蓝光量子点尺寸均一性好，其发光性能以及稳定性与现有技术相比均得到了提升。
本发明授权一种蓝光量子点及其制备方法、电子器件在权利要求书中公布了：1.一种蓝光量子点，包括量子点核、依次包覆于所述量子点核外的第一壳层和第二壳层，其特征在于，所述量子点核为ZnS，所述第二壳层为ZnS，所述第一壳层包括Zn元素、Se元素以及X元素，所述X元素为Cd元素或Te元素，所述量子点核的尺寸为1～5nm；当所述X元素为Cd元素时，所述第一壳层中Cd元素占第一壳层所有阳离子元素的摩尔百分数为5％～10％；当所述X元素为Te元素时，所述第一壳层中Te元素占第一壳层所有阴离子元素的摩尔百分数为1％～5％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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