日本瑞翁株式会社浅田毅获国家专利权
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龙图腾网获悉日本瑞翁株式会社申请的专利相位差膜及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110651207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880033974.6，技术领域涉及：G02B5/30；该发明授权相位差膜及制造方法是由浅田毅设计研发完成，并于2018-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本相位差膜及制造方法在说明书摘要公布了：一种相位差膜以及其制造方法，上述相位差膜实质上仅由包含聚合单元A和聚合单元B的1种共聚物P形成，具有显现结构性双折射的相分离结构，具有大于0且小于1的NZ系数。优选上述相分离结构包含将上述聚合单元A作为主成分的相和将上述聚合单元B作为主成分的相，上述相分离结构具有片状、柱状、球状中的任一形态，上述相分离结构中的相间距离为200nm以下。
本发明授权相位差膜及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种相位差膜，实质上仅由包含聚合单元A和聚合单元B的一种具有负的固有双折射值的共聚物P形成， 具有显现结构性双折射的相分离结构和显现分子取向性双折射的分子取向， 具有大于0且小于1的NZ系数， 面内延迟Re在120nm～160nm或250nm～290nm的范围内， 所述聚合单元A为通式A表示的单元， 式中，Rc为选自苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、并五苯基和三联苯基中的基团， R1～R3各自独立地为选自氢原子和碳原子数为1～12的烷基中的基团， 所述相分离结构包含将所述聚合单元A作为主成分的相和将所述聚合单元B作为主成分的相， 所述相分离结构具有片状、柱状、球状中的任一形态， 所述相分离结构中的相间距离为200nm以下， 相分离了的各相的大小为10nm以上且100nm以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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