广东省半导体产业技术研究院任远获国家专利权
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龙图腾网获悉广东省半导体产业技术研究院申请的专利一种芯片结构及其制作与测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911175000.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种芯片结构及其制作与测试方法是由任远;刘宁炀;李祈昕;李成果;陈志涛设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片结构及其制作与测试方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片结构及其制作与测试方法，涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；功能电极设置于功能层远离衬底的一侧；其中，多个功能层中的任意一层设置有通孔；该芯片结构还包括检测电极，检测电极安装于通孔。本申请提供的芯片结构及其制作与测试方法具有能够区分出不同功能层的缺陷性质、物理机制和对芯片特性影响的效果。
本发明授权一种芯片结构及其制作与测试方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括： 衬底； 与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧；其中，所述多个功能层中的至少一层设置有通孔； 所述多个功能层包括缓冲层、应力释放层、高阻层、沟道层、势垒层以及盖帽层，所述衬底、所述缓冲层、所述应力释放层、所述高阻层、所述沟道层、所述势垒层以及所述盖帽层逐层堆叠； 检测电极，所述检测电极安装于所述通孔，所述通孔设置于所述芯片结构的一周，所述通孔的表面均铺设有所述检测电极，在施加电压时，可实现在芯片的一周均施加电压； 所述功能电极为漏极、栅极和源极，所述检测电极是独立于所述功能电极以外的电极； 在制作所述通孔时，沿所述盖帽层至所述衬底的方向进行刻蚀，以露出目标层，所述检测电极制作在所述目标层上； 通过在不同功能层上设置通孔与检测电极，实现在不同检测电极上施加电压，通过检测器件特性变化，分析不同外延层的缺陷分布和物理机制。
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