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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010237970.9，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由长濑仙一郎;可知刚;星野义典设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其制造方法。在从半导体衬底SUB的第一主表面到达预定深度的深沟槽DTC中，形成包括插塞PUG和场板FP的多个柱状导体CCB。沿着深沟槽DTC的侧壁表面形成p型杂质层PIL。在插塞PUG的底部与p型杂质层PIL的底部之间，场板FP和p型杂质层PIL被定位为经由插入其间的绝缘膜FIF彼此面对。在p型杂质层PIL的底部与场板FP的底部之间，场板FP和半导体衬底SUB的n型漂移层NDL被定位为经由插入其间的绝缘膜FIF彼此面对。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一导电类型的半导体衬底，具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面； 第一电极，形成在所述半导体衬底的所述第一主表面上； 第二电极，形成在所述半导体衬底的所述第二主表面上； 多个柱状导体，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述多个柱状导体中的每个柱状导体在所述半导体衬底中的第一深度与所述第一主表面之间延伸，所述半导体衬底中的所述第一深度是从所述第一主表面向所述第二主表面测量的； 第二导电类型的第一杂质区域，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述第一杂质区域在所述半导体衬底中的第二深度与所述第一主表面之间延伸，所述半导体衬底中的所述第二深度是从所述第一主表面向所述第二主表面测量的，所述第二深度比所述第一深度浅； 所述第二导电类型的第二杂质区域，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述第二杂质区域在所述半导体衬底中的第三深度与所述第一主表面之间延伸，所述半导体衬底中的所述第三深度是从所述第一主表面向所述第二主表面测量的，所述第三深度比所述第二深度浅； 所述第一导电类型的第三杂质区域，形成在所述半导体衬底中并且电连接到所述第一电极，所述第三杂质区域在所述半导体衬底中的第四深度与所述第一主表面之间延伸，所述半导体衬底中的所述第四深度是从所述第一主表面向所述第二主表面测量的，所述第四深度比所述第三深度浅；以及 栅电极，经由栅极电介质膜形成在所述半导体衬底中的栅极沟槽内，以便穿透所述第三杂质区域和所述第二杂质区域； 其中所述第一杂质区域与所述第一导电类型的所述半导体衬底和所述第二导电类型的所述第二杂质区域中的每个接触， 其中所述多个柱状导体中的每个柱状导体包括场板，所述场板从所述半导体衬底中的第五深度延伸到所述第一深度，所述半导体衬底中的所述第五深度是从所述第一主表面向所述第二主表面测量的，所述第五深度比所述第一深度和所述第二深度浅并且比所述第三深度和所述第四深度深，所述场板和所述第一导电类型的所述半导体衬底经由绝缘膜彼此相对地设置， 其中i所述场板在所述半导体衬底中的所述第五深度和所述第二深度之间延伸的第一部分与ii所述第一杂质区域经由所述绝缘膜彼此相对， 其中在所述第二深度和所述第一深度之间的区域中，i所述场板在所述半导体衬底中的所述第二深度和所述第一深度之间延伸的第二部分与ii所述第一导电类型的所述半导体衬底经由所述绝缘膜彼此相对，以及 其中所述第一杂质区域在从所述半导体衬底中的所述第五深度延伸到所述第二深度的一部分的长度被设置为所述场板在所述半导体衬底中从所述第五深度延伸到所述第一深度的长度的一半。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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