三星电子株式会社崔恩荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018126B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010418871.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维半导体装置及其制造方法是由崔恩荣;金亨俊;李洙衡;赵容锡设计研发完成，并于2020-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种三维半导体装置及其制造方法，所述三维半导体装置包括顺序地堆叠在基底上的多个第一栅电极、位于所述多个第一栅电极上的第二栅电极、延伸穿过第二栅电极的一部分和所述多个第一栅电极的第一沟道结构、位于第一沟道结构的侧壁上并且其上表面位于比第一沟道结构的顶端高的水平处的掩埋绝缘图案、延伸穿过第二栅电极的剩余部分的第二沟道结构以及位于第二沟道结构的侧壁上的掩埋导电图案，第二沟道结构连接到第一沟道结构。
本发明授权三维半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括： 基底； 多个第一栅电极，顺序地堆叠在所述基底上，所述多个第一栅电极包括构成串选择晶体管的栅电极和构成存储器单元晶体管的栅电极； 第二栅电极，位于所述多个第一栅电极上，第二栅电极是构成栅极致漏极泄漏晶体管的栅电极； 第一沟道结构，延伸穿过所述第二栅电极的一部分和所述多个第一栅电极； 掩埋绝缘图案，位于所述第一沟道结构的侧壁上，所述掩埋绝缘图案具有在比所述第一沟道结构的顶端高的水平处的上表面； 第二沟道结构，延伸穿过所述第二栅电极的剩余部分，所述第二沟道结构连接到所述第一沟道结构；以及 掩埋导电图案，位于所述第二沟道结构的侧壁上， 其中，所述第二栅电极包括多个第二栅电极，并且 其中，所述第一沟道结构的所述顶端位于比所述多个第二栅电极中的最下面的第二栅电极的下表面高且比所述多个第二栅电极中的最上面的第二栅电极的上表面低的水平处。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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