三星电子株式会社李海旻获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112382636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010747798.1，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权半导体存储器件是由李海旻;姜信焕;韩智勋设计研发完成，并于2020-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器件在说明书摘要公布了：一种半导体存储器件包括：外围逻辑结构，包括在基板上的外围电路；水平半导体层，沿着外围逻辑结构的顶表面延伸；多个堆叠结构，沿着第一方向布置在水平半导体层上；以及多个电极分隔区域，在所述多个堆叠结构中的每个中以在不同于第一方向的第二方向上延伸，其中所述多个堆叠结构中的每个包括第一电极垫和在第一电极垫上的第二电极垫，第一电极垫在第一方向上突出超过第二电极垫第一宽度，第一电极垫在第二方向上突出超过第二电极垫第二宽度，第二宽度不同于第一宽度。
本发明授权半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器件，包括： 外围逻辑结构，包括在基板上的外围电路； 水平半导体层，沿着所述外围逻辑结构的顶表面延伸； 多个堆叠结构，沿着第一方向布置在所述水平半导体层上；以及 多个电极分隔区域，在所述多个堆叠结构的每个中以在与所述第一方向不同的第二方向上延伸， 其中所述多个堆叠结构中的每个包括： 第一电极垫，包括第一电极区域和第一模制区域，以及 在所述第一电极垫上的第二电极垫，所述第二电极垫包括第二电极区域和第二模制区域， 其中所述第一模制区域在所述第一方向上突出超过所述第二模制区域第一宽度以限定第一阶梯状轮廓， 其中所述第一模制区域在所述第二方向上突出超过所述第二模制区域第二宽度以限定第二阶梯状轮廓，所述第二阶梯状轮廓的所述第二宽度不同于所述第一阶梯状轮廓的所述第一宽度， 其中所述第二电极区域在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上重叠所述第一电极区域但是不重叠所述第一模制区域， 其中所述第二模制区域在所述第三方向上重叠所述第一模制区域但是不重叠所述第一电极区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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